Qorvo推出新型 1200V 第 4 代 SiC FET

Qorvo 扩展了其 1200V 产品系列，并将其第 4 代SiC FET技术扩展到更高电压的应用。

新型 UF4C/SC 系列 1200V 第 4 代 SiC FET 非常适合EV车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。

UnitedSiC（现为 Qorvo）工程副总裁 Anup Bhalla 对电力电子新闻表示：“在大流行期间，我们完成并开始发布我们的第 4 代技术，我们来到 PCIM 介绍我们的 1200V 第 4 代技术。”

他还告诉我们：“发生的另一件大事是，10 月 21 日，UnitedSiC 被 Qorvo 收购。我们还在这里展示 Qorvo 在收购 United SiC 之前一直在做的事情，并展示潜力在哪里。“

关于未来，Anup Bhalla 说：“尽管发生了大流行，但 SiC 在过去一两年里确实起飞了。但是，业务增长如此之快的事实意味着，无论我们之前在做什么技术开发，这将变得更加重要并且可能会加快。“

“因为产量越来越好，我认为对质量的要求越来越高，故障率越来越低，产品质量也越来越好，”他补充道。

通过更高性能的 Gen4 选项扩展我们的 1200V 范围，使我们能够更好地服务于将总线设计迁移到 800V 的工程师。在电动汽车中，向更高电压的转变是不可避免的，这些具有四种不同 RDS(on) 等级的新器件可帮助设计人员为每种设计选择最佳的 SiC 选择。

所有 RDS(on) 选项（23、30、53 和 70 ）均采用行业标准 4 引线开尔文源 TO-247 封装，以更高的性能水平提供更清洁的开关。 53 和 70 毫欧器件也采用 TO-247 3 引线封装。该系列部件具有出色的可靠性，基于良好的热性能，这是先进的银烧结芯片贴装和先进的晶圆减薄工艺的结果。

所有 1200V SiC FET 都包含在 FET-Jet Calculator 中，这是一个免费的在线设计工具，可以即时评估用于各种 AC/DC 和隔离/非隔离 DC 的器件的效率、组件损耗和结温升高/DC 转换器拓扑。可以在用户指定的散热条件下比较单个和并联设备，以实现最佳解决方案。

这些新器件具有四种不同的RDS (on)等级，可帮助设计人员为每种设计选择最佳 SiC 选项。

所有 RDS (on) 选项（23、30、53 和 70 毫欧）均采用行业标准 4 引线开尔文源 TO-247 封装，可在更高性能水平下实现更清洁的开关。TO-247 3 引脚封装也可用于 53 和 70 毫欧器件。

为了充分利用超低比导通电阻，新型 1200V SiC FET 实施了先进的 Ag-sinter 芯片贴装工艺，可提供卓越的热性能。这些器件的同类最佳热阻 Rth, jc 使它们能够保持良好的功率处理能力，同时通过更低的电容和更低的开关损耗实现芯片尺寸缩小。

Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、 以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场，包括先进的无线设备、 有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进 5 G 网络、 云计算、 物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、 地点和事物的全球互联。