三星3nm技术有新突破，是否还能挽救高通的颓势？

7 月 7 日消息，据国外媒体报道，三星电子 6 月 30 日在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的 3nm 制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，先于台积电采用 3nm 工艺代工晶圆。

目前距离三星电子宣布初步生产已有一周的时间，外媒在报道中，也给出了他们 3nm 制程工艺的更多信息。

外媒最新的报道显示，三星电子 3nm 制程工艺的首家客户，将是国内的一家专用集成电路应用公司，不过他们并未披露公司的具体名称。

外媒在报道中还提到，作为三星电子晶圆代工最大客户的高通，也已经预订了 3nm 工艺的产能。消息人士透露，根据两家公司达成的协议，高通是随时都可以要求三星采用这一工艺为他们代工芯片。

不同于 7nm、5nm 等工艺所采用的鳍式场效应晶体管(FinFET)架构，三星电子的 3nm 制程工艺，是率先采用全环绕栅极晶体管架构。三星电子在官网上表示，同 5nm 工艺相比，他们的第一代 3nm 制程工艺所代工的芯片，功耗降低 45%，性能提升 23%，芯片面积减少 16%。

三星电子在晶圆代工领域的竞争对手台积电，目前也在推进 3nm 工艺的量产事宜，他们是计划在今年下半年量产，他们的 3nm 工艺，仍继续采用鳍式场效应晶体管架构。

星的3nm传来了新的进展，其效率提升了45%，可以挽回高通?

随着芯片技术的飞速发展，芯片的批量生产也在不断的加快，从28nm到4nm，到现在的4nm。这是什么概念?这代表着芯片的尖端工艺，正在接近摩尔定律。

当然，现在世界各地的公司，都在为芯片的尖端技术而奋斗，而三星，则是在3nm芯片领域，取得了突破性的进展。所以，这一次，3nm真的可以大规模生产?毕竟三星这么多年来一直在研究3纳米技术，却始终没有任何进展。

三星已经研究出了如此先进的3nm制程技术，是否还能挽救高通的颓势?

三星3nm技术有新突破

据韩国媒体报导，三星公司计划在韩国平泽市投资3nm芯片工厂，并计划于六月和七月开始动工。在3nm制程上，三星似乎已经做好了孤注一掷的准备。

台积电也在研究3nm芯片，但台积电采用的是FinFET技术。但三星就不行了，三星要用什么?准备采用新的方法，做好率先尝试的准备。这种新的技术被称为GAA制程。

该方法采用了一种新型的环绕式栅极晶体管，并将其与有关的奈米器件及相关技术相结合，从而构成多桥路FET。

三星之所以会做出这样的决定，并不是什么稀奇的事情，因为从理论上讲，采用了GAA晶体管技术的新技术，将会让FinFET的性能得到极大的提升。

采用GAA的新技术，可以将功耗降低50%，性能提升35%，这是理论上的，毕竟三星的新技术，比台积电的传统工艺要好得多。

而三星的3nm制程芯片，要在3nm制程上超过台积电的传统制程，就必须要有一个巨大的变数。三星在3nm芯片上花了好几年的时间，但到现在为止，还只有三星在谈，而现在，三星宣布要开始生产3nm芯片了。

三星，真的能量产3nm芯片么?

首先，三星在发展芯片领域的大量资金

三星公司，很有可能将自己的3nm芯片，应用到更高的技术上。三星于2020年十一月九日宣布，即2022年，即今年大规模生产3nm芯片，据相关公司高层表示，他们不仅定下了一个目标，而且还提出了一个新的方案，那就是研发芯片，预计将投入1160亿美元。

这是一笔巨大的投资，再加上三星公司花了将近两年的时间，花了大量的钱，才将3nm芯片的生产完成。

其次，三星创造了新的收入记录

三星公司决定采用新的技术，所以三星的3nm制程，很大程度上取决于他们的投资，就在不久前，韩国三星宣布了去年的收入，三星今年的收入达到了历史新高，达到了2330亿美元，比上年同期增加了18%。

所以，现在的三星，已经可以在3nm芯片上投入更多的资金了。

提起半导体产业大国，很多人都说不上来具体的国家。但其实，现实就是偌大的全球市场，只有几个国家才算得上真正地掌握半导体核心技术，而每个国家都可以称为半导体产业大国。由此可见，真正掌握半导体产业的国家数量有多么少，发展半导体产业的难度有多么大。

提起半导体产业大国，很多人都说不上来具体的国家。但其实，现实就是偌大的全球市场，只有几个国家才算得上真正地掌握半导体核心技术，而每个国家都可以称为半导体产业大国。由此可见，真正掌握半导体产业的国家数量有多么少，发展半导体产业的难度有多么大。

有趣的是，本是科技产业高度发达的日本，在半导体产业这种核心技术上已经被韩国的三星超过了。可是最令韩国三星担心的不是日本企业的“反扑”，而是忌惮中国半导体产业的飞速发展，未来终将要面对来自中国企业的挑战。

韩国三星是如何超过日本半导体的?

首先来说一下日本半导体产业。其实日本的半导体产业发展起步很早，早在上个世纪就高速发展着，不仅是亚洲半导体产业的龙头，同样在全球市场上挑战着美企的生存空间。日本很多的科技厂商都是从这个时候发展起来的，积累了大量的经验与技术。

有趣的是，本是科技产业高度发达的日本，在半导体产业这种核心技术上已经被韩国的三星超过了。可是最令韩国三星担心的不是日本企业的“反扑”，而是忌惮中国半导体产业的飞速发展，未来终将要面对来自中国企业的挑战。

韩国三星是如何超过日本半导体的?

首先来说一下日本半导体产业。其实日本的半导体产业发展起步很早，早在上个世纪就高速发展着，不仅是亚洲半导体产业的龙头，同样在全球市场上挑战着美企的生存空间。日本很多的科技厂商都是从这个时候发展起来的，积累了大量的经验与技术。

美国为了限制日本的半导体产业，在亚洲挑选出了日本的邻国——韩国，作为日本的竞争对手。但是当时的韩国还很贫穷，韩国三星电子还是一个名不见经传的小电器公司，而成为发达国家，就是靠着其半导体产业的突飞猛进。这其中，大部分都是美国的支持。

美国不仅是从技术和经验上支持韩国三星，还将大批优秀的半导体领域人才送至韩国，帮助韩国提升芯片、半导体等多个产业，在韩国对外购买设备方面，美国这边也是“大开绿灯”，让韩国三星畅通无阻的购进先进设备，比如已经能够量产3nm芯片了，但他们却始终高兴不起来!

三星的3nm芯片终于在今天掀开面纱。三星宣布，基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT，简称 “GAA”)制程工艺节点的芯片已经在其位于韩国的华城工厂启动大规模生产。此举使三星成为全球首家量产3nm芯片的公司。然而，抢先一步量产3nm芯片，并不意味着三星在与台积电的“双雄”之战中占据了先机。

三星3nm凭速度超越台积电,一路走来，三星3nm量产之路并不顺利。今年4月，有消息传出，三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率才到10%~20%，远低于预期，这意味着公司需要付出更高的成本。今年5月，业界再次传出消息，三星3nm良率问题已解决，3nm GAA制程将如期量产。6月初，有消息称，三星的3nm制程已经进入了试验性量产。然而就在几天后的6月22日，市场却又传出三星因良率远低于目标延迟3纳米芯片量产的消息。

尽管“跌跌撞撞”，但三星依旧全力推进，终于抢在台积电之前，成功量产了3nm。资料显示，与其5nm工艺相比，三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。三星在3nm工艺中开始引入GAA架构。与当前的FinFET(鳍式场效应晶体管)工艺相比，GAA工艺可让芯片面积减少45%的同时提升30%的性能，功耗降低50%。在这一层面，三星是大胆采用新技术的“革新者”。

与三星的大胆和急迫相比，其业内最大的竞争对手台积电就显得有些“不紧不慢”。在三星急于在3nm切入GAA架构之时，台积电宣布其3nm中仍将沿用FinFET架构，在2nm时再切入GAA架构。虽然，GAA是在更小尺寸下更加被普遍看好的工艺结构，但在3nm技术节点中采用GAA架构，仍是一个值得商榷的问题。