美国准备复活90nm工艺，制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍

在先进芯片工艺上，美国厂商也落后于台积电、三星了，这两家量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm遥遥领先，然而美国还有更多的计划，并不一定要在先进工艺上超越它们，甚至准备逆行，复活90nm工艺，制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍。

美国晶圆厂SkyWater日前宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助，后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 (RH90) FDSOI 技术平台，总的投资计划高达1.7亿美元。

相比台积电、三星、Intel等半导体公司，SkyWater不仅规模小，而且资历也浅，2017年成立，晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要生产130nm及90nm，部分先进芯片才到65nm级别。

然而他们却得到了美国DARPA的青睐，成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划，该计划在5年内投资15亿美元，推动美国半导体行业发展。

ERI计划中，SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是用90nm工艺制造3D SoC芯片，通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达7nm芯片的50倍。

当然，这些技术现在还没有实现完全突破，毕竟这样的做法是之前没有的，一旦成功了，可能是改变半导体行业规则的新技术。

随着全球科技产业的快速发展，芯片制造技术的重要性与日递增。据相关数据统计：我国每年在集成电路商品的进口额上，就要高达3000多亿美元，远超第二类的不可再生资源——石油。

尤其是在互联网产业高度发达的今天，军民两用市场，对于芯片产品的依赖性仍在不断增强，芯片产品的国产化刻不容缓。

在前不久，苹果、谷歌以及台积电等企业，纷纷宣布暂停对俄罗斯企业提供技术服务。这对于芯片本就极度依赖外界供应的俄罗斯而言， 无疑是雪上加霜。

加上ASML不再供应光刻机，俄罗斯企业生产芯片产品的难度有多高可想而知。在这样的局面之下，为消除外企撤离所带来的影响，俄罗斯拟用9000亿卢布支持本土企业发展ICT行业，弥补互联网产业的技术短板。

同时，俄罗斯技术学院也传来了将研发无掩膜X射线光刻机的消息。据悉，这款光刻机的性能，可以对标EVU光刻机的制程精度，只不过不适合大规模的芯片量产。

如此一来，俄罗斯的高端芯片产品供应，就会逐步得到解决。但是，相较于高端芯片的供应而言，90nm、52nm等成熟制程工艺的芯片供应，才是其最想要解决的问题。

要知道，芯片性能不够还可以通过两颗、三颗来凑，要是没有与芯片制造相关的产业链，连一颗芯片都生产不出来，又何谈去进行替代?

在这样的局面之下，俄罗斯有传出来了新的消息，事关90nm等成熟制程工艺芯片的量产。

据外媒爆料，俄罗斯有关部门，已经制定了微电子发展计划的初步版本，该计划预计将在2030年之前投资3.19万亿卢布，用于开发国产半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施开发、国产人才的聚集以及自制芯片和解决方案的营销。

并且，俄罗斯还重启了当地最大的晶圆代工厂，计划在年底实现90nm制程芯片的量产。

首先，将进一步减少对于外界的芯片产品依赖，从成熟制程工艺下的产品开始，逐步实现本土化的设计、量产和销售。这对于外界依靠芯片代工业务为生的企业而言，并不会是一个好消息，俄罗斯国产芯片的占比增加，就会导致其芯片进口需求减少。

其次，满足当地科技产业的需求，芯片产品在科技领域的占比极高。俄罗斯国产芯片的问世，主要也是为了满足自身的实际需求，并不是一笔没有回报的投资。

在先辈芯片工艺上，美国厂商也落后于台积电、三星了，这两家量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm遥遥领先，然而美国还有更多的计划，并不一定要在先辈工艺上超越它们，甚至准备逆行，回生90nm工艺，制造出来的芯片机能是7nm芯片的50倍。

美国晶圆厂SkyWater日前宣布获得美国国防手下属的DARPA的进一步资助，后者将给予2700万美元以推动开辟90nm计谋抗辐射 (RH90) FDSOI 技巧平台，总的投资计划高达1.7亿美元。

比拟台积电、三星、Intel等半导体公司，SkyWater不仅规模小，而且资历也浅，2017年成立，晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先辈，主要临盆130nm及90nm，部分先辈芯片才到65nm级别。

然而他们却获得了美国DARPA的青睐，成立没多久就开始介入后者的ERI电子中兴计划，该计划在5年内投资15亿美元，推动美国半导体行业成长。

ERI计划中，SkyWater并没有追求技巧更强但更昂贵的先辈工艺，而是用90nm工艺制造3D SoC芯片，经由过程集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的机能，机能可达7nm芯片的50倍。

当然，这些技巧现在还没有实现完全冲破，毕竟这样的做法是之前没有的，一旦成功了，可能是改变半导体行业规则的新技巧。

美国晶圆厂SkyWater日前宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助，后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 (RH90) FDSOI 技术平台，总的投资计划高达1.7亿美元。

相比台积电、三星、Intel等半导体公司，SkyWater不仅规模小，而且资历也浅，2017年成立，晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要生产130nm及90nm，部分先进芯片才到65nm级别。

然而他们却得到了美国DARPA的青睐，成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划，该计划在5年内投资15亿美元，推动美国半导体行业发展。

ERI计划中，SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是用90nm工艺制造3D SoC芯片，通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达7nm芯片的50倍。

当然，这些技术现在还没有实现完全突破，毕竟这样的做法是之前没有的，一旦成功了，可能是改变半导体行业规则的新技术。