ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高栅极耐压

[导读]新 EcoGaN™ 系列的第一个系列有助于降低数据中心和基站的功耗并实现更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 将栅极耐压(额定栅极-源极电压)提高到业界领先的 8V - 非常适用于工业设备(如基站和数据中心以及物联网)的电源电路通讯设备。

新 EcoGaN™ 系列的第一个系列有助于降低数据中心和基站的功耗并实现更大的小型化

ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 将栅极耐压(额定栅极-源极电压)提高到业界领先的 8V - 非常适用于工业设备(如基站和数据中心以及物联网)的电源电路通讯设备。

近年来，随着物联网设备数量的增加，对服务器系统的需求不断增加，提高电源转换效率和减小尺寸已成为重要的社会问题，需要在电源设备领域进一步发展。

由于 GaN 器件通常提供比硅器件更高的开关特性和更低的导通电阻，因此它们有望为各种电源的低功耗和外围组件的进一步小型化做出贡献。

除了量产业界领先的 SiC 器件和功能丰富的硅器件外，ROHM 还开发了在中压范围内实现出色高频工作的 GaN 器件，使我们能够为更广泛的应用提供电源解决方案。

这些新产品采用了将额定栅源电压从传统的 6V 提高到 8V 的原始结构。因此，即使在开关过程中发生超过 6V 的过冲电压，也可以防止退化——有助于提高电源电路的设计余量和更高的可靠性。GNE10xxTB 系列采用高度通用的封装，具有出色的散热和大电流能力，便于安装过程中的处理。

ROHM已将有助于节能和小型化的GaN器件注册为EcoGaN™商标，并正在努力扩大产品阵容，以提高性能。展望未来，ROHM 将继续开发利用 Nano Pulse Control™ 等模拟电源技术的控制 IC 和包含这些 IC 的模块，以及通过最大限度地提高 GaN 器件的性能为可持续发展社会做出贡献的电源解决方案。

名古屋大学工学研究生院山本雅芳教授

今年，日本经济产业省 (METI) 制定了到 2030 年新数据中心节能 30% 的目标——从现在起不到 10 年。然而，系统性能不仅要节能，而且要强大和稳定，因为它们已成为我们社会基础设施的重要组成部分。

对此，ROHM 开发了一种新的 GaN 器件，该器件提供了业界最高的 8V 栅极耐压，提供了高度的鲁棒性和稳定性，同时实现了卓越的节能效果。ROHM 将从这些产品开始，通过结合专有的 Nano Pulse Control™ 模拟电源技术，不断提高电源的供电效率，创造有助于半导体和电信行业到 2040 年实现碳中和的重大技术趋势。

什么是 EcoGaN™?

EcoGaN™ 是指通过最大限度地提高 GaN 的低导通电阻和高速开关特性，为节能和小型化做出贡献的 GaN 器件，其目标是降低应用功耗，使外围元件小型化，并随着器件数量的增加而减少设计负荷。所需的零件。

主要特征

1. 独创结构将栅源额定电压扩展至8V

现有耐压200V以下的GaN器件，相对于5V的栅极驱动电压，典型的栅源额定电压为6V，电压极窄仅1V的余量。超过额定电压会导致可靠性下降和破坏等问题，加上栅极驱动电压需要高精度控制，这一直是GaN器件普及的主要障碍。

作为回应，这个新系列通过采用独创的结构，成功地将额定栅源电压从典型的 6V 提高到了业界领先的 8V。这扩大了器件工作期间的电压裕度，因此即使在开关过程中发生超过 6V 的电压过冲，器件也不会劣化，有助于提高电源电路的可靠性。

2. 优化的封装提供出色的散热并支持大电流

GNE10xxTB 系列采用高度通用的封装，在可靠性和可安装性方面具有良好的记录，可提供出色的散热和大电流能力，便于安装过程中的处理。此外，与传统封装相比，使用铜夹结封装技术可将寄生电感降低 55%，从而在设计高频工作电路时最大限度地提高器件性能。

3. 在高频段实现超过 96.5% 的电源效率

这些新产品通过增加额定栅源电压和采用低电感封装来最大限度地提高器件性能，在 1MHz 高频率下实现 96.5% 或更高的高效率频段，有助于提高电源设备的效率和进一步小型化。

应用示例

· 用于数据中心和基站的 48V 输入降压转换器电路