一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第三部分

最新的GaN技术是把逻辑集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量与驱动程序和控制器连接，并且还可以节省成本，因此不需要额外的组件。因此，我们的解决方案可以像 MOSFET 一样被驱动。为什么E-Mode GaN HEMT选择集成逻辑而不是 GaN 驱动器的原因是什么吗?

CGD 的 650 伏 GaN 技术称为 ICeGaN，是组合词。IC 和 eGaN，一个词的意思是 E-mode GaN，因为实际上它是一个片上系统，我们将逻辑集成到 E-mode 功率晶体管中。

顺便说一句，我们也可以像 ICE GaN 一样阅读它，因为它运行起来非常酷。它不包含完整的栅极驱动器，而仅包含可轻松与栅极驱动器连接的特定和关键功能。多年前，当 CGD 由剑桥大学的 Giorgio Longobardi 和 Florin Udrea 创立时，在与许多涉及 GaN 的公司进行多年咨询后，特别是在 GaN 可靠性和与栅极相关的鲁棒性等主题上，他们都喃喃自语了很多去的方向。最后，我们想要开发的是一个完全可扩展到高功率和低电压的概念。

我们已经决定最好的办法是避免集成全栅极驱动器，而是集成特定的 IC 来提供关键功能，以使 GaN E 模式 HEMT 像硅 MOSFET 一样易于使用。当然，一旦我们朝着这个方向迈进，下一步就是进一步集成其他功能，例如特定的传感和控制功能，以提高性能和可靠性。而这一切都是我们技术的核心。看，我们一直听说的关于 GaN HEMT 的一件事是它们是横向的横向晶体管，这是与硅和碳化硅 MOSFET 相比的主要区别和优势之一，因为这允许片上集成。

CGD 围绕这一概念进行了详细阐述，并集中精力解决过去几年阻碍 GaN 真正得到广泛采用的主要问题之一，之前我已经提到过，那就是缺乏易用性。因此，CGD 的技术是一种 E 模式，即通常关闭的单芯片解决方案，它可以无缝耦合到标准栅极驱动器。基本上，我们不需要添加任何 RC 网络或钳位二极管，也不需要向栅极提供负电压。

ICeGaN 的阈值电压约为 2.8 伏，它具有集成的米勒钳位，可确保在任何情况下真正发生在零伏的关断，并且基本上利用了 GaN HEMT 的横向特性，允许客户驱动 MOSFET 等 GaN 晶体管，高达 20 伏的栅极电压。所以，易用性，我们敢说第一次在E-mode GaN上引入，不需要任何额外的芯片或任何元件，顺便也节省了PCB上的成本和空间。所以，我想说这个概念是完全可扩展的。

因此，我们可以为低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或为高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通过简单地重塑设计，它可以扩展到低电压，但概念仍然存在，这就是我们基本上认为我们已经实现了最初目标的方式。曾考虑过引入单片集成到功率晶体管中的栅极驱动器的主题，但我想说，这是一个非常好的低功耗解决方案。

市场告诉我们，今天，我们知道。但它可能会在高功率时变得有损。我会说，由于片上热耦合，驱动器可能会因功率晶体管的自热而遭受额外的损失。因此，我们认为最好让我们的客户继续使用他们多年来一直使用的 MOSFET 驱动器和硅，让保持栅极驱动器的选择。现在，最终每个栅极驱动器都可以与 E 模式 GaN 耦合：这基本上是像 MOSFET 一样驱动 GaN。