世界领先！紫光国芯DRAM开始量产

近期紫光国芯旗下西安紫光国芯半导体有限公司网站显示，其DDR4内存模组已经发布。

该公司的DDR4模块采用两种非缓冲DIMM（U-DIMM）和SO-DIMM开发。

U型DIMM是 “SCQ04GU03AF1C-21P”， “SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM在2个模型“SCQ04GS03AF1C-21P”，“SCQ08GS13AF1C-21P”。

集微网消息，紫光国芯1月23日在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。

同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。

紫光于近期成功打造出中国第一款自主研发的电脑DDR4内存，其DRAM颗粒完全自主研发。从网上曝光的图片来看，内存上有紫光国芯(UnilC)标识，单条容量为4GB。

长久以来我国在半导体领域一直是个很大的短板，目前我国CPU处理器的研发已在运算和消费领域均有巨大突破，而内存方面上，随着市场上同类产品价格的逐步攀升，我国内存存储的自主创新、研发能力也越发显得尤为重要。

西安紫光国芯半导体有限公司，是在原德国奇梦达科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的，2015年，紫光集团旗下紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司，更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

该公司核心业务是存储器的设计开发、量产、销售以及集成电路设计开发服务。此外，国家科技重大专项“核高基”和国家高技术发展计划“863”等存储器领域的研究项目西安紫光国芯均有参与。