三星在DRAM市场份额连扩三季，独占4成市场

据市场调查机构Omdia数据显示，今年二季度(4~6月)期间，三星电子拿下了DRAM市场43.4%的市场份额，已连续第三季扩大份额。与此同时，紧随其后的SK海力士份额为28.1%，环比增加1%，美光23.6%，环比下滑1.2%。

根据台积电近期公布的财报，今年第三季度销售额同比增长 48% 至 6131.4 亿美元(约合人民币 44091 亿元)。而三星电子第三季度的 DS(半导体)销售额预计在 24 万亿至 25 万亿韩元(约合人民币 1200 亿元至 1250 亿元)之间。

包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂已量产DDR5，但占产能比重仍然不高，随着DRAM行情低迷，业者降价出清DDR4库存，可望加速DDR5的出货量。 其中，三星宣布开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米DDR5，SK海力士采用1y纳米及1a纳米生产DDR5，美光已采用1α纳米扩大DDR5产能。

据市调机构调查显示，明年服务器整机出货量预估仅年增3.7%，低于今年的5.1%，且考量成本，服务器DRAM平均搭载容量年增幅也仅7%，为2016年以来首度降至10%以下。

一直以来，DRAM芯片都是以微缩制程的方式，来提高存储密度。

DRAM每一次制程的更新换代，都需要大量的投入。

以30nm更新到20nm为例，后者需要的光刻掩模版数目增加了30%，非光刻工艺步骤数翻倍。对洁净室厂房面积的要求，也随着设备数的上升而增加了80%以上。

以前，这些成本都可以通过单晶圆更多的芯片产出，以及性能带来的溢价，进行弥补。但是，随着工艺制程的不断微缩，增加的成本和收入之间的差距逐渐缩小。

2013年左右，当制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅提升。18/16nm之后，继续在二维方向缩减尺寸，已不再具备成本和性能方面的优势。

于是，DRAM芯片厂商开始另辟蹊径，开始研究Z方向的扩展能力。也就是说，开始推进3D封装。

作为行业龙头，三星率先从封装角度实现了3D DRAM。他们采用TSV封装技术，将多个DRAM芯片堆叠起来，从而大幅提升单根内存条容量和性能。后来，各个厂商纷纷跟进，3D DRAM成为主流。

在产品标准方面，行业一般采用由固态技术协会(JEDEC)制定的产品标准，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。

半导体产业具有独有的周期性特质，一方面，当产能与市场需求出现错配时，价格波动就不可避免;另一方面，无论是半导体设计业还是生产制造业，都需要高投入、长周期，一旦错配出现，往往不能在短时间内在供需上实现削峰填谷，也就导致了明显的半导体产业周期性特点。

在半导体主要芯片类别中，存储器是最大的一类，大概占据整个芯片市场的近 1/3。其中 DRAM 和 NAND Flash 是量最大的两类，占比约超 95%，剩下的份额由 NOR FLASH、EEPROM 等其他类型存储芯片占据。因而，半导体市场稍有风吹草动，DRAM 和 NAND 往往最先遭受震荡。

2017-2018 年是最近几年存储市场的一个明显增长期;2019 年，受全球贸易摩擦及下游需求放缓影响，存储芯片营收出现大幅下滑，2020 年尽管有所恢复，但市场营收仍在低位;2021 年，在疫情阶段性控制、国内手机市场恢复、北美服务器厂商资本支出受政府鼓励等因素影响下，存储器在需求端又迎来增长。同时，持续的芯片缺货间接导致 DRAM 与 NAND 单价涨幅较大，尽管存储器价格在 2021 年第四季度转为下滑，但全年市场规模仍达到 1650 亿美元左右，同比增长 33%。

根据 IC Insights发布的数据显示，从2020年下半年开始并持续到2022年5月的DRAM市场强劲回暖已经结束。DRAM销量在5月份创下两年多来的最高月度销量后，6月份和7月份分别暴跌36%和21%。市场崩溃的速度是如此之快，以至于7月份的DRAM市场规模只有5月份的一半(图1)。对通货膨胀和经济衰退的担忧削减了消费者在新智能手机、电脑、电视和其他电子产品上的支出。反过来，系统制造商也缩减了新的 DRAM 订单，理由是需要消耗他们积累的现有库存。