三星正在扩大多项目晶圆服务，制程扩大至4nm

星电子计划于2023年扩大多项目晶圆(MPW)服务，且制程技术将扩大至4nm。随着制造工艺水平的提高，在生产线上制造芯片的费用不断上涨，一次0.6微米工艺的生产费用就要20-30万元，而一次0.35微米工艺的生产费用则需要60-80万元。如果设计中存在问题，那么制造出来的所有芯片将全部报废。为了降低成本，我们采用了多项目晶圆。

多项目晶圆(Multi Project Wafer，简称MPW)就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型(Prototype)设计阶段的实验、测试已经足够。而该次制造费用就由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，成本仅为单独进行原型制造成本的5%-10%，极大地降低了产品开发风险、培养集成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。

TrendForce资深分析师乔安在今日举行的研讨会中表示，晶圆代工产业自2020年进入高成长周期，5G技术发展、疫情及地缘政治等是增长的主要原因。乔安指出，2020年晶圆代工产值成长24%，2021年成长26.1%，今年随着业界扩增的产能大量开出，及晶圆涨价贡献，晶圆代工产值可望成长28%，增幅将高于过去两年水平。

随着集成电路(Integrated circuit,IC)制造技术的不断发展，芯片特征尺寸越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径也不断增大。要实现多层布线，晶圆表面必须具有极高的平整度、光滑度和洁净度，而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圆平坦化技术，它与光刻、刻蚀、离子注入、PVD/CVD一起被称为IC制造最核心的五大关键技术。 图

由工采网代理的台湾茂矽电子推出的IGBT晶圆 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工艺的6寸IGBT晶圆片;1200V壕沟和现场停止技术;低开关损耗;正温度系数;简单的平行技术。广泛应用在中等功率驱动器、1200V光伏、电焊机、工业缝纫机、伺服马达等等领域。

在新披露的展望报告中，SEMI 预计到 2025 年的时候，全球 300 mm 半导体晶圆厂的产能将再创新高。SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：“尽管某些芯片短缺已得到缓解，但另一些芯片的供应仍然紧张。不过苏子和半导体行业扩大 300 mm 晶圆厂产能，其正努力为满足广大新兴应用的长期需求而奠定基础”。

近年来，由于受益于汽车电子、工业控制、AlOT等高增长应用市场对半导体的强劲需求，晶圆制造市场增长强劲。2021年全球晶圆代工厂总销售额首次突破1000亿美元大关，达到1101亿美元，较2020年增长26%，预计未来全球晶圆代工销售额会持续上涨，2022年预计涨幅约20%。

TheLec 报道称，三星正计划使用一种称为背面供电网络 (BSPDN) 的技术来开发 2 纳米，而该技术其实是上周刚刚由研究员 Park Byung-jae 在三星 SEDEX 2022 上推出的一种新技术。

简单来说，这种方案给出了除制程缩进和 3D 封装外的另一个方向：开发晶圆背面。

Park 表示，在代工市场，技术正在从高 k 金属栅极平面 FET 发展到 FinFET 再到 MBCFET 和现在的 BSPDN。

三星电子于今日公布了其2022年第三季度(7-9 月)的初步财报，由于全球经济放缓，冲击消费类电子产品需求，导致存储芯片订单锐减，使得三星电子当季利润同比大幅下滑近32%，为近3年来首次出现下滑，凸显市场形势险峻。

根据三星发布的初步财报显示，预计第三季营收76万亿韩元，同比增长2.7%。营业利润为10.8万亿韩元(约77亿美元)，较2021年同期的15.82万亿韩元下滑31.7%，低于Refinitiv SmartEstimate调查所预期的11.8万亿韩元，不仅创下2019年以来最差同期表现，且是3年来首次出现同比下滑。

另外值得一提的是，在近两年晶圆代工产能紧缺的背景之下，晶圆代工厂纷纷对其晶圆代工报价进行了提价，提升了运营表现。

Moonsoo Kang表示，“今年(提价)取得了一些进展，成本上升也体现在了其中……目前赢得的新订单将在 2-3 年后完成。”