宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产 实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点

(2022年11月2日，香港)宏光半导体有限公司(「宏光半导体」，连同其附属公司统称「集团」; 股份代号：6908. HK)欣然宣布，集团近期已开始生产其自家6英寸氮化镓(「GaN」)功率器件外延片(「外延片」)。 远早于预期时间表成功制造外延片为集团快速产业化及量产第三代半导体铺路，乃其转型成为第三代半导体GaN 供应商的重要成果，标志着集团迈向第三代半导体GaN商业化的里程碑。

凭借在第三代半导体GaN制造方面的专业知识、强大科研技术团队及研发能力，宏光半导体近年积极实现相关业务转型。 集团之技术团队利用其丰富经验，在短短三个月调试生产设备和技术，成功产出 达至国际大厂的高良率标准之外延片，并陆续开始销售。 集团预期2023年第二季将开始芯片试产，于2024年初前开始投产。 此外，集团亦已于今年下半年推出GaN相关之快速充电产品如快充充电器，宏光半导体对GaN 相关产品制造及销售的前景充满信心。

近年，全球半导体产业的发展重大转变，在外围经济环境不确定性增加的情况下，全产业链自主可控预计成为国产半导体产业未来的发展主线。 中共二十大报告亦明确指出科技进步和专业人才对国家未来发展至关重要; 报告意味着中央政府将在科技行业投放大量财政资源，预期内地将提升半导体科技的科研开支，加快实现高科技自立自强。 除国家政策的大力支持外，香港政府未来亦会加大资源研发及制造第三代芯片，香港应用科技研究院建议增拨资源，推动国家半导体发展，可见半导体产业对于经济发展的重要性。

第三代半导体外延片乃半导体产业链环节中的其中一个主要部分，为第三代半导体的半制成品，透过后续加工技术最终生产成为芯片; 而是次外延片成功投产标志着宏光半导体朝着量产芯片的终极目标迈进一大步。 第三代半导体及其外延片广泛应用于光伏、储能、风电、汽车电子、5G、物联网等终端领域。 高速增长和旺盛的市场需求使外延片生产设备的国产化率进一步提高，整个半导体外延片行业呈现高景气度并有望延续。 全球氮化镓(GaN)外延片市场销售额于2021年达到了4.2亿美元，预计至2028 年将达到15亿美元，年复合增长率为21.2%(2022-2028)。 伴随着政府的利好政策驱动、广泛的下游应用市场和国产替代机遇，集团继续加快步伐研发及拓展第三代半导体业务及系统应用的设计和制造，未来冀实现国有替代技术突围， 矢志成为以半导体设计与制造为核心，集研发、制造、封测及销售为一体的全产业链半导体整合设备生产模式企业。

集团管理层对其第三代半导体业务的发展充满信心，认为GaN 在新兴应用领域如新能源汽车行业有巨大的优势。 目前，集团生产的外延片产品已正式投产，加上集团的技术团队拥有高执行力以及丰富的量产经验，相信其 半导体芯片业务将逐渐步入收成期。 早前，集团已与协鑫科技控股有限公司(股份代号：3800. HK)创办人、主席兼执行董事朱共山先生正式签定股份及认股权证认购协议，其后亦与朱共山先生及其家庭成员作为受益人之全权信托协鑫集团有限公司订立战略合作框架协议 ，双方将于GaN功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作，全速推展在GaN产业链上的布局。 集团管理层相信半导体行业庞大的机遇和市场需求可望为集团带来更多机遇，未来发展有望迎来增长期，长远为 股东予以最佳的回报。