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[导读]11月22日消息,据外媒报导,韩国三星虽然抢先台积电量产了3nm GAA(Gate-all-around,环绕栅极)芯片,但不代表进展顺利。最新的爆料称,三星3nm GAA制程的良率非常糟,仅为20%,为了解决这困境,三星计划通过与美国公司合作提高良率。

11月22日消息,据外媒报导,韩国三星虽然抢先台积电量产了3nm GAA(Gate-all-around,环绕栅极)芯片,但不代表进展顺利。最新的爆料称,三星3nm GAA制程的良率非常糟,仅为20%,为了解决这困境,三星计划通过与美国公司合作提高良率。

到目前为止,三星虽号称通过整合合作伙伴技术取得积极成果,但实际还需观察几个月。如果三星3nm GAA 制程低良率问题无法解决,客户可能将不愿再下订单,进而转向等待台积电的3nm工艺。

事实上,目前已经宣布量产3nm GAA 技术制程的三星,除了仅供应某家加密货币厂商之外,至今尚未拿下智能手机芯片厂商的订单。不过,消息指出,目前三星已经通过高通的样品认证,有机会在未来进行供货。因此,如果三星能够解决良率不佳的问题,则高通将可以享受到3nm GAA 技术制程带来的性能提高23%,能耗最多降低45% 的好处。

报导最后强调,三星的第二代3nm制程将预计在2024 年量产,号称比第一代3nm制程有更多的进步,这也代表三星进一步希望从台积电手上抢下更多市占率的企图。

对于此前路透社报道称,台积电计划将其领先的N3(3nm级)制造技术芯片生产带到其美国亚利桑那州晶圆厂的传闻,张忠谋首次给出了肯定的答复。

张忠谋称,台积电目前在美国亚利桑纳州建的是5nm晶圆厂,为美国目前最先进的制程,但台积电在中国台湾的最先进制程是3nm,代表台积电在美国投资的5nm只是“N-1”。现在有一个计划,但是还没有完全敲定,应该说是差不多敲定,那就是在美国亚利桑那州,“3nm是phase 2(第二阶段),5nm是phase 1(第一阶段)。”

不过张忠谋并未透露美国3nm晶圆厂建厂计划的投资规模,以及会在何时启动。目前台积电亚利桑那州的5nm晶圆厂产能规划是2万片/月,有传闻称,计划中的3nm晶圆厂产能也将是2万片/月。

黄崇仁指出,中国台湾拥有这些条件促成半导体产业的优势,包括台湾的工程师素质高、产业国际化、成本相对低廉、政府支持建厂等条件支撑,若没有这些条件,“不是搬到美国,优势就可以存在”。

据业内人士@手机晶片达人 爆料称,台积电除了在建的亚利桑那州的2万片5nm晶圆产能,还将在美国东岸的弗吉尼亚州建一座新的3nm制程晶圆厂,产能也将为2万片,目前正开始安排人力规划,预计投资规模也将达到120亿美元。这也将是台积电在美国的第三座晶圆厂。除了在建的亚利桑那州晶圆厂之外,台积电在美国华盛顿州的Camas还有一座晶圆十一厂,不过这里仅生产8英寸晶圆,主要面向28nm以上成熟制程。

如果台积电继续在美国进行具有N3功能的晶圆厂计划,该设施可能会在2024年底上线,或者更有可能在2025年初上线。该代工厂计划在2025年下半年开始生产N2(2nm级)工艺技术。

因此,虽然亚利桑那州的工厂可能会获得N3,但台积电在台湾地区的晶圆厂仍将更加先进。但台积电在台湾地区和美国之间的能力差距可能会在未来几年缩小。

针对以上美国媒体报道,台积电昨日晚间回应指出,就目前为止,台积电公司尚未确定亚利桑那州晶圆厂二期的规划。有鉴于客户对台积公司先进制程的强劲需求,我们将就营运效率和成本经济因素来评估未来计划。

台积电此前曾在法说会上提到,3nm将在今年第四季度量产,预期在高性能运算与智能手机应用驱动下,2023年平稳量产,但台积电并未披露3nm月产能细节。

业界认为,台积电今年资本支出下修10%,业界传出先进制程协力厂遭砍单40%至50%,应属少数个案,主要落在再生晶圆、关键耗材、设备等领域。

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