这个问题呢在面试时候被问过一次，所以有了今天的选题，希望大家以后如果被提问，都能从容面对。还记得去年视频面试上海的一家外资公司，觉得外企稳定，福利待遇方面都还行，于是就有了接下来的面试经历。面试总共分2轮（也可能会3轮），第一轮HR面，都是一些基础问题，为什么考虑新的机会（每家必问），现有薪资以及跳槽涨幅，为什么换城市等等；第二轮技术面，两个面试官看上去50岁左右，给人的感觉经验非常丰富，在公司内应该属于专家级别了。面试开始首先自我介绍了一下以前的项目经验，顺便也吹嘘了一下擅长什么；接下来就是提问环节（可以自由发挥了），可能这家公司的产品DCDC用的比较多，正好我简历里也介绍了这部分项目经历，所以问题围绕DCDC展开，先问了一下Buck电路的原理，这个我早有准备，没有悬念轻松拿下，然后又问我Buck电路的损耗，其实这个问题我是没有考虑过的，想了想Buck的效率通常在85%以上，我只知道导通时MOS管有个Rdson，阻值几十毫欧，于是就说了这个，我自己都感觉太小，这才多大的损耗啊！当时就感觉要挂！可惜了我前面1个小时的努力，哈哈。果不其然，等了几天没有下文，可能也与我一直从事射频工作有直接联系，不过我也不可能去追问HR，找工作本来就是双向协商的，你给我offer，我还不一定去呢。

其实对于这个问题，正常情况下80%的人不会去想DCDC的损耗在哪里，工程上项目时间紧，如果FAE推荐的电路不出问题，基本就会PASS这部分，去查看其他风险点，所以一些细节是考虑不到的。面试过后我也问了我前同事，他做过一段时间的电源，和我想的一样，平时主要关心电源的EMI指标和效率问题，损耗第一个是在MOS管选型时候用到，就是Rdson，第二个是电感电容选型的ESR损耗。

其实仔细思考下还是很容易得出正确答案的，之前为什么没答出来，我也总结了一下：面试的时候需要快速给出正确答案，这对候选人的考验相当大，需要平时大量的案例积累，如果没有这方面的知识储备，面试过程节奏快、时间紧，相对企业而言候选人也比较弱势，心理压力大无法正常思考的，所以答错很正常！

言归正传，Buck电路的损耗有哪些？

如下图所示，非同步Buck电路由MOS管、电感、续流二极管以及芯片内部逻辑电路组成。

理想情况下，我们在聊电路原理以及EMI等问题的时候，不会去考虑MOS管死区时间、开关速度，电感交直流阻抗，电容ESR/ESL，二极管的开关导通损耗以及Buck芯片的耗电，但这就是损耗的主要来源，此处由于开源电源的低频特性忽略PCB板的寄生参数。

查阅资料发现已经有很多博主定量估算过DCDC所有的损耗，是一种工程近似的方法。不过像这种面试的场景，时间宝贵，只需要定性分析，共3种情况：

1.导通时，损耗主要由MOS管Q、L和C产生，MOS管导通电阻Rdson与L、C的交直流阻抗(jwL+1/jwc+DCR)损耗之和。

2.截止时，损耗主要由二极管D、L和C产生,二极管的压降（ΔU*I）与L、C的交直流阻抗损耗之和。

3.开关瞬间，如下图所示，Ton时主要由MOS管开通损耗与二极管的关断损耗之和；Toff时，主要是MOS管关断损耗(波形与MOS管打开时相反)。