为减少支出，美光1γnm DRAM推迟到2025年

因为计算机内存芯片需求下降的状况下产生众多供应和开支方面的问题，美光明年将裁员10%，并采取其他削减成本的措施，比如将1γnm DRAM推迟到2025年。

美光1γnm制程工艺的DRAM采用将EUV光刻技术，因为要减少资本开支，因此该技术将推迟到2025年，同时232层的NAND节点也被推迟。

今年Q3季度，美光宣布将在2030年前投资150亿美元在博伊西新建一家半导体工厂，预计将为美国创造1.7W个就业岗位。

次月美光就再次宣布将在纽约州北部建造另一家半导体工厂，承诺提供高达1000亿美元的长期投资，并为该州带来5W个工作岗位。

但是最近几个月该公司的需求急剧下降，个人电脑和智能手机的出货量均下降，因此影响了该公司的两种主要存储芯片NAND以及DRAM，前者可以在便携式闪存驱动器中提供断电保护，后者必须通电才能保存数据。

按照之前的计划，美光1γ将在2024年的某个时候推出，但是该公司需要在2023~2024财年减少新设备的支出并减少DRAM bit出货量，因此将不得不放慢DRAM在其1β和1γ制造技术上的增长速度。

据悉，美光最新的 1β制造节点 bit密度提高了35%，电源效率提高了15%，不过这一技术依然是基于DUV光刻技术的，而1γnm DRAM将基于EUV。

存储巨头三星以及SK海力士已经在其第4代10nm级存储技术(1α、1-alpha)中的多个层级采用了EUV光刻技术，并计划进一步强化其在第5代10nm级DRAM节点中的使用。

美光表示，因为决定放慢1β(1-Beta)DRAM的生产速度，预计的1γ(1-gamma)技术将在2025年推出，同时也将推迟 232层3DNAND存储器以外的下一个NAND节点， 以适应新的需求前景和所需的供应增长。