国产一射频前端芯片将进入量产阶段

近日业内信息报道，国产射频前端 L-PAMiD 芯片将进入量产阶段，预计在今年下半年就会实现规模化出货。

据悉，该芯片是由国内射频前端芯片设计公司唯捷创芯和昂瑞微开发，该公司主流产品为 Wi-Fi 6/6E，主要应用在手机和路由器之中，目前已实现大规模量产出货，今年推出的 WiFi 7 产品目前已在客户端送样和推广，该公司去年 5G 射频功率放大器模组实现营业收入月 8.9 亿元，占公司射频功率放大器模组产品营收的 44.32%。

5G L-PAMiD 模组(LNA-Power Amplifier Module integrated Duplexer)是集成了功率放大器、低噪声放大器、耦合器、射频开关、滤波器、双 / 多工器等的射频前端模组，可以支持 5G 重耕频段的收发需求外，还能向下兼容 4G、3G 和 2G 频段的收发需求，并支持大部分频段的 5G+4G 双连接需求。

射频前端是指在通讯系统中，天线和中频(或基带)电路之间的部分。在这一段里信号以射频形式传输。对于无线接收机来说，射频前端通常包括：放大器，滤波器，变频器以及一些射频连接和匹配电路。

射频器件是无线连接的核心，凡是需要无线连接的地方必备射频器件，在物联网应用推动下未来全球无线连接数量将成倍的增长。无线连接的需求直接激发射频行业，手机配臵的无线连接协议越来越多，直接驱动射频器件行业持续成长。

从早期的 2G 单一通信系统，到现在的2G、 3G、 4G、 Wifi、蓝牙、 NFC、 FM，手机需要支持 7 个以上无线通信系统，射频器件单机价值数倍于十年前的系统。2G~3G 的演进过程中无线通信经历了 UMTS、 HSPA、 HSPA+三个阶段，3G~ 4G 的演进过程经历了 class 1-2、 class3-4、 class5 三个阶段。

5G 是循序渐进的过程，创新射频器件技术有望在 4.5/4.9G 得到应用，而在这些中间形态中就会有一些射频技术实现商业化应用，射频器件在消费电子及军工产业都有着至关重要的应用，产业资本及国家大基金的重视程度将与日俱增。在各方资本的助力下，国内射频器件行业将迎来新一轮行业大发展机遇。

射频器件是无线通讯设备的基础性零部件，在无线通讯中扮演着两个重要的角色，即在发射信号的过程中扮演着将二进制信号转换成高频率的无线电磁波信号，在接收信号的过程中将收到的电磁波信号转换成二进制数字信号。

无论何种通信协议，使用的通讯频率是高是低，配臵射频器件模块是系统必备的基础性零部件。无论是使用 13.56Mhz 的信号作为传输载体 NFC 系统，或是使用900/1800Mhz 信号作为传输载体的 GSM 通讯系统，还是使用 24Ghz 和 77Ghz 电磁波信号作为传输载体的无人驾驶毫米波雷达，均需要配臵射频器件模块。

作为无线通讯不可缺少的基础一环，射频器件的技术革新是推动无线连接向前发展的核心引擎之一。在联网设备大规模增长的环境下，射频器件行业是未来成长最快且最确定的方向性资产。

射频前端模块由功率放大器(PA)、滤波器、双工器、射频开关、低噪声放大器、接收机/发射机等组成。其中功率放大器负责发射通道的射频信号放大;滤波器负责发射及接收信号的滤波;双工器负责 FDD 系统的双工切换及接收/发送通道的射频信号滤波;射频开关负责接收、发射通道之间的切换;低噪声放大器主要用于接收通道中的小信号放大;接收机/发射机用于射频信号的变频、信道选择。