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[导读]今天,小编将在这篇文章中为大家带来LED芯片的有关报道,通过阅读这篇文章,大家可以对它具备清晰的认识,主要内容如下。

今天,小编将在这篇文章中为大家带来LED芯片的有关报道,通过阅读这篇文章,大家可以对它具备清晰的认识,主要内容如下。

一、LED芯片工作原理

LED全称是Light Emitting Diode,即发光二极管。随着红、绿、蓝色等LED芯片制造技术的不断发展和成熟,几乎所有颜色的光都能够由LED发出。LED灯在照明、显示、标识、交通信号等领域都有广泛的应用。

在探究LED灯发光原理前,我们需要先了解一下半导体工作机制。半导体是一种介于导体和绝缘体之间的物质,它具有介电性、半导电性和导电性。半导体在高温下能够导电,而在低温下则变成不导电体。

半导体中,等离子体是非常重要的一个概念,它是在电子和空穴(电子的空位)之间的电离气体。当外加一个电压时,半导体中的电子和空穴会被激发到导带和价带,从而形成等离子体。而当电子和空穴复合时,就会散发出能量,这就是半导体中的复合放电现象。

了解了半导体的基本工作原理,我们再来看看LED灯的发光原理。LED灯的发光原理是利用半导体材料的特性,以及P-N结的正向导通和反向截止状态,通过外加电压,使原本不互相复合的电子和空穴,在P-N结区域重新结合,从而产生光子的能量,这就是LED灯的发光原理。

LED芯片通常由一层P型半导体和一层N型半导体组成。P型半导体中有很多空穴,N型半导体中则有很多自由电子。当将两者组合在一起时,空洞和自由电子会进行混合衰减,电子的能级会降低,这就是P-N结的基本原理。 通过了解LED灯的发光原理,我们可以更好地理解半导体的工作方式。随着科技的进步和半导体技术的不断发展,相信LED灯将会在更多的领域得到广泛的应用,为我们的生活带来更多的便利和舒适。

二、LED芯片有哪些种类

1、MB芯片定义与特点

定义:Metal Bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。

特点:(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。Thermal Conductivity;GaAs:46W/m-K;GaP:77W/m-K;Si:125~150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC:490W/m-K(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适应于高驱动电流领域。(4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。(5)尺寸可加大,应用于High power领域,eg:42mil MB。

2、GB芯片定义和特点

定义:Glue Bonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点:(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。(2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。(3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。(4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

3、TS芯片定义和特点

定义:transparent structure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。特点:(1)芯片工艺制作复杂,远高于AS LED。(2)信赖性卓越。(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。(4)应用广泛。

4、AS芯片定义与特点

定义:Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。

大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。特点:(1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。(2)信赖性优良。(3)应用广泛。

以上就是小编这次想要和大家分享的有关LED芯片的内容,希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章,可以在网页顶部选择相应的频道哦。

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