关于低噪音性能的运算放大器集合介绍

低噪声放大器， 噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。

由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。理想放大器的噪声系数 F=1(0分贝)，其物理意义是输入信噪比等于输出信噪比。现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管;微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温 参放的噪声 温度Te可低于几十度(绝对温度)，致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。

TI公司推出的高速运算放大器系列OPA84x，具有宽带宽低失真和低噪音的性能，能驱动12位到16位ADC和DAC，也可用作通用运算放大器，用在线路驱动器，宽带积分器，有源滤波器和低噪音接收器。

OPA842的一增益带宽是稳定的，它采用有两级增益放大级的电压反馈结构，在整个频率范围内能达到所期望的低噪音失真，如在5MHz为-93dBc。G=1的带宽为400MHz，增益带宽乘积为200MHz，转换速率为400V/us，输入噪音为2.6nV/rtHz，12位的设定时间(到0.01%)为22ns，开环增益为110dB，输出电流达100mA。

OPA843有更宽的增益带宽，两级增益可得到在所期望的动态范围内的中等增益。输入噪音低又补足了这种动态范围，它的DC精度比所有以前的高速放大器都有提高。OPA843的输入噪音为2.0nV/rtHz，G=5的带宽为260MHz，800MHz增益带宽，转换速率为1000V/us，5MHz的失真为-96dBc，12位的设定时间(到0.01%)为10.5ns，开环增益为110dB，输出电流100mA。

OPA846的增益带宽更高一级，输入噪音更低。G=10的带宽为400MHz，增益带宽乘积为1.75GHz，转换速率为625V/us，电源电流12.6mA的输入噪音为1.2nV/rtHz。

OPA847的增益带宽3.9GHz是业界最高的，输入噪音0.85nV/rtHz也是最低的。其它的特性包括有转换速率为900V/us，供电电流18mA，输出电流+/-65mA，5MHz的失真为-95dBc。当功耗是主要时，OPA847有可选择的将降功耗引脚，能降低功耗到低于2mW。

所有的OPA84x系列产品的输入失调电压低到300uV，输入失调电流350nA，以及在整个温度范围内有很稳定的AC/DC性能。

OPA84x系列产品是SOT23和SO-8封装。

低噪音放大器,低噪音放大器是什么意思

低噪音放大器　　低噪音放大器是一类特殊的电子放大器，主要用于通讯系统中将接收自天线的信号放大，以便于后级的电子设备处理。由于来自天线的信号一般都非常微弱，低噪音放大器一般情况下均位于非常靠近天线的部位，以减小信号通过传输线的损耗。这种“有源天线”的配置广泛应用于全球定位系统(GPS)等微波系统中。这是因为同轴电缆在微波频率范围内损耗很大。

正是由于低噪音放大器位于整个接收机紧邻天线的最先一级，它的特性直接影响着整个接收机接受信号的质量。为了确保天线接收的信号能够在接收机的最后一级被正确的恢复，一个好的低噪音放大器需要在放大信号的同时产生尽可能低的噪音以及失真。这两个参数通常使用噪声系数和三阶输入截止点来表征。

输入和输出端的阻抗匹配和噪声匹配是实现高增益和低噪声的关键。现代的低噪音放大器不仅要在一个窄带范围内实现阻抗匹配，新的应用(如超宽带技术)的出现也要求其能够在非常宽的频率范围内(典型的频带宽度为3.1-10.6 GHz)实现阻抗匹配和噪音匹配。

近二十年以来, 半导体工艺技术遵循摩尔定律迅猛发展, 推动和促进着半导体器件产品性能和水平不断发展。世界上各大半导体公司, 为了应对市场竞争, 纷纷更新和提升其设计和工艺技术, 高性能的模拟放大器产品层出不穷。针对迅猛发展的微波通讯市场, 各种功能复杂、性能优异的RF 放大器产品不断推出, 常规的中视频通用放大器在新工艺条件下也得到了迅猛提高。国内由于半导体工艺制作水平的限制, 导致模拟放大器产品水平长期落后于国外产品。其竞争劣势除了表现在技术参数以外, 还表现在质量可靠性、参数均匀性、供货周期、市场宣传、售后服务等诸多方面。因此, 导致国内模拟放大器产品主导市场(特别是在单片领域) 一直被国外大公司产品所占据。国内生产企业只能凭借部分专用、常规或国外停产型产品, 占有少量市场份额。根据工作频段和整机应用情况, 模拟放大器产品可以宏观地划分为两大领域: 一是以射频通讯电路为代表的高端微波产品, 二是新工艺条件下生产的中视频通用放大器产品。按照产品结构和功能使用情况, 模拟放大器包括低噪声宽带放大器(LNA )、运算放大器及比较器、中视频放大器、模拟乘法器等。

低噪声宽带放大器具有很低的噪声系数和很宽的频率范围，当信号较弱时，将探头的输出先经过低噪声放大器放大，再送到接收机。低噪声放大器的主要作用是放大天线从空中接收到的微弱信号,降低噪声干扰,以供系统解调出所需的信息数据,提高低噪声放大器的增益对降低整机的噪声系数非常有利,但低噪声放大器的增益过高会影响整个接收机器的线性度提出很高的要求。

低噪声宽带放大器---随着现代通讯工作频带的总体上移, 射频放大器将成为模拟放大器市场的主流。由系统天线馈入的无线信号, 在处理之前必须进行信号放大。低噪声放大器(LNA ) 就是其中非常重要的部件。从传统意义上讲,MM IC 低噪声放大器一直属于砷化镓或其它III-V 族产品范畴, 普通硅器件的工作频率往往难以逾越。但是, 随着光刻技术和器件工艺水平的不断提高, 近十年来, 硅工艺晶体管的特征频率已能够达到数十GHz 以上。特别是SiGe 工艺,由于材料生长工艺的逐渐成熟, 再加上它能与硅工艺兼容、易于集成的特点, 使得SiGe 材料的BiC-MO S/BiCMO S 工艺与GaAs工艺相比, 更有利于RF 系统芯片的集成。目前, 硅材料低噪声放大器的产品频带已能够达到微波领域, 而且在功耗、频率低端以及制作成本上更具有竞争优势。另外, 随着工艺水平的大幅提升, RF 低噪声放大器在采用双极晶体管制作的基础上, 还衍生了一种新形式, 即用MOSFET 制作低噪声放大器。以美国Sirenza 微波器件公司的产品为例。

其LNA 产品包含10 余个产品系列, 各个产品系列采用不同的半导体工艺制作(SiGe、InGaP、GaA s、pHEM T 等工艺) 和不同的晶体管形式(BJT、HBT或FET ) , 但产品水平大致相当。国内从事硅工艺低噪声放大器开发的单位主要以中电科技集团公司第二十四研究所和航天771 所为主。产品带宽一般在500MHz 范围以内。近年来,二十四所采用台面SiGe HBT 工艺, 已研制出带宽810 GHz、GP 10 dB 的LNA 样品; 采用0135 LmSiGe BiCMOS 工艺, 开发出带宽116～ 118 GHz、GP20～ 30dB 的LNA 产品。