传 ASML 将提供特供 DUV 给中国，官方回应！

据业内消息，在荷兰对光刻机实施了出口管制措施之后，业内频传言 ASML 将规避该措施为中国市场推出特供 DUV 光刻机，近日 ASML 官方专门对此进行了回应。

消息人士表示，中国市场特供版 DUV 光刻机基于 Twinscan NXT: 1980Di 光刻系统改造，而该机器是 10 年前推出的旧型号，而不在本次官方禁令范围内。该机器可支持中芯国际、华虹等国内半导体来生产 28nm 以上的成熟工艺。

据悉，该光刻机是 ASML 现有效率比较低的光刻机，支持 NA 1.35 光学器件、分辨率可以达到 <38 nm，理论上可以支持 7nm 工艺。大多数晶圆厂使用 1980Di 光刻机主要生产 14nm 及以上工艺芯片，很少使用其生产 7nm 芯片。

然而 ASML 官方近日表示一直以来都遵守所适用的法律条例，公司并没有面向中国市场推出特别版的光刻机。

根据之前的报道，荷兰出口新规于 9 月 1 日后生效，届时 ASML 将不得不向政府申请出口许可证才能出口先进的浸润式 DUV 系统(即TWINSCANNXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统)。

具体来说，出口管制名单新增了 TWINSCAN NXT:2000i、NXT:2050i 及 NXT:2100i 等浸入式 DUV，这些设备最高可支持 5nm 工艺，台积电就使用 SAQP 和氩氟浸没 (ArFi) 光刻实现了 7 nm 量产。

ASML 在售的浸没式光刻机主要有三大型号：TWINSCAN NXT:2050i、TWINSCAN NXT:2000i 和TWINSCAN NXT:1980Di。TWINSCAN NXT:1980Di 的分辨率可以达到≤38nm，每小时可以生产275片晶圆。

尽管其分辨率在 38nm 左右，但是通过多重曝光理论上依然可以支持 7nm 左右，只是这样步骤更为复杂、成本更高，良率也会随之变差，据说台积电的第一代7nm工艺也是基于 NXT:1980Di 实现的。

目前在业内 NXT:1980Di 更多还是被用于 ≤45nm以下成熟制程的生产，2018 年长江存储和华力二期(华虹六厂)订购的 NXT:1980Di 成功进厂安装，支持了两家晶圆厂的生产。

2018 年下半年 ASML 正式出货的更为先进的浸润式光刻机 NXT:2000i 通过多重曝光则可以支持到 7nm 及 5nm 制程工艺需求，同年 12 月 ASML NXT2000i 首次进入中国，正式搬入 SK海力士位于无锡的工厂。