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[导读] (全球TMT2023年9月1日讯)2023年9月1日,三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代双倍数据率同步动态随机存储器)。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的...

(全球TMT2023年9月1日讯)2023年9月1日,三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代双倍数据率同步动态随机存储器)。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就。 在最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上,三星可以研发出实现1TB内存模组的解决方案。

三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM(2)

最新开发的32Gb DDR5内存颗粒,采用前沿的工艺技术,提高了集成密度并优化了封装设计,与DDR5 16Gb颗粒相比,在相同封装尺寸情况下,三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。通过使用最新开发的32Gb内存颗粒,即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比,其功耗降低了约10%。全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。

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