英特尔展示下一代先进芯片封装的玻璃基板

业内最新消息，昨天英特尔官宣推出了业界首款用于下一代先进封装的玻璃基板，这一突破性成就将使封装中晶体管的尺寸不断缩小，并推进摩尔定律以提供以数据为中心的应用程序。

“这项创新历经十多年的研究才得以完善，”英特尔高级副总裁兼装配与测试开发总经理 Babak·Sabi 表示：“经过十年的研究，英特尔已经实现了行业领先的先进封装玻璃基板。我们期待提供这些尖端技术，使我们的主要参与者和代工客户在未来几十年受益。”

与当今的有机基板相比，该玻璃基板具有超低的平坦度、更好的热稳定性和机械稳定性，从而使基板中的互连密度更高。而这些优势将使芯片架构师能够为人工智能等数据密集型工作负载创建高密度、高性能芯片封装，以更大的灵活性和更低的总体成本和功耗实现性能和密度增益。

英特尔预计到 2030 年，半导体行业可能会达到使用有机材料在硅封装上缩放晶体管的极限，目前的材料会消耗更多功率并受到收缩和翘曲等限制，尺寸缩小对于半导体行业的进步和发展至关重要，而玻璃基板是下一代半导体可行且必不可少的。

随着越来越强大的计算需求，半导体行业进入在封装中使用多个小芯片的异构时代，信号传输速度、功率传输、设计规则和封装基板稳定性的改进将至关重要。与当今使用的有机基板相比，玻璃基板具有卓越的机械、物理和光学特性，允许在封装中连接更多晶体管，从而提供更好的扩展性并能够组装更大的小芯片复合体(系统级封装)。

该玻璃基板可以承受更高的温度，图案变形减少 50%，并具有超低平坦度以改善光刻的焦深，并且具有极其紧密的层间互连覆盖所需的尺寸稳定性，由于这些独特的特性，玻璃基板上的互连密度可以提高 10 倍，而且玻璃的机械性能得到改善可以实现超大型封装，并具有非常高的组装良率。

此外，该玻璃基板对更高温度的耐受性还为芯片架构师提供了如何设置电力传输和信号路由设计规则的灵活性，因为这使他们能够无缝集成光学互连，以及在更高温度下将电感器和电容器嵌入到玻璃中加工。这样可以提供更好的功率传输解决方案，同时以低得多的功率实现所需的高速信号传输。

英特尔表示，下一步将以最近 PowerVia 和 RibbonFET 突破的势头为基础，这些行业领先的先进封装玻璃基板展示了对超越英特尔自家 18A 工艺节点的下一个计算时代的前瞻性关注和愿景。英特尔正致力于到 2030 年在封装上提供 1 万亿个晶体管，其在包括玻璃基板在内的先进封装方面的持续创新将有助于实现这一目标。

来源：Intel