英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

【2023年12月7日，德国慕尼黑讯】数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。

OptiMOS 7 功率MOSFET

该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置(Source-Down)封装，标准门级和门级居中引脚排列形式均提供底部冷却型和双面冷却型以供选择;此外，该产品组合还包含稳定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm²封装。OptiMOS™ 7 15 V技术专为低输出电压下的DC-DC转换定制，尤其适合服务器和计算环境。这项先进技术符合数据中心配电中出现的48:1 DC-DC转换的新趋势。

与现有的OptiMOS5 25 V相比，全新OptiMOS™ 7 15 V通过降低击穿电压，将 RDS(on) 和FOM Qg减少了约30%，并将FOM QOSS减少了约50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置封装型号提供更灵活优化的PCB设计。PQFN 2 x 2 mm²封装的脉冲电流能力超过500 A，典型RthJC为1.6 K/W。通过最大程度地减少传导和开关损耗并采用先进的封装技术，实现了简化散热管理，树立了功率密度和整体效率的新标杆。

供货情况

OptiMOS 7 15 V产品组合现已开放订购并提供两种封装尺寸：PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置封装和PQFN 2 x 2 mm²封装。