Qorvo®推出紧凑型E1B封装的1200V SiC模块

2024年2月29日，中国北京——全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo^®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻RDS_(on)最低为9.4mΩ。全新的高效率SiC模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。

Qorvo SiC电源产品线市场总监Ramanan Natarajan表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”

以9.4mΩ导通电阻的UHB100SC12E1BC3N为代表的这四款SiC模块均采用Qorvo独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类SiC电源模块高出2倍。得益于以上特性，这些高度集成的SiC电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了Qorvo全新的1200V SiC模块系列：

Qorvo功能强大的设计工具套件（例如FET-Jet Calculator和QSPICE™ 软件）有助于产品选择和性能仿真。如需详细了解有关Qorvo先进的工业应用SiC解决方案，请访问cn.qorvo.com/go/sic。

Qorvo SiC模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会（APEC）上进行了首次亮相。更多信息，请访问Qorvo APEC 2024页面。