每天进步一点点：MOS应用电路设计

一直以来，MOS管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来MOS管的相关介绍，详细内容请看下文。

MOS管是一种由金属氧化物半导体构成的三极管，它的工作原理是通过控制门电压来控制通过源极和漏极的电流。当门电压为正时，源极和漏极之间的电容会被放电，从而使源极和漏极之间的电压差变小，从而使源极和漏极之间的电流增大；当门电压为负时，源极和漏极之间的电容会被充电，从而使源极和漏极之间的电压差变大，从而使源极和漏极之间的电流减小。

MOS管是由源极、漏极、门极和金属氧化物层组成，其中金属氧化物层是MOS管的核心部分，它由一层金属和一层氧化物组成，金属层和氧化物层之间有一个很小的空隙，这个空隙可以控制电子的流动，从而控制MOS管的电流。

MOS管可以根据其结构特点分为两大类：一类是普通MOS管，它的结构由源极、漏极、门极和金属氧化物层组成；另一类是双极MOS管，它的结构由源极、漏极、门极和两层金属氧化物层组成。

在实际项目中，我们基本都用增强型，分为N沟道和P沟道两种。

我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的，需要具体看数据手册。

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。

下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图：

NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高），下面以导通压差6V为例。

NMOS管

使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。

PMOS管

使用PMOS当上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低6V即可导通，使用方便；同理若使用PMOS当下管，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确定控制极G极的电压，使用较麻烦，需采用隔离电压设计。

经由小编的介绍，不知道你对MOS管是否充满了兴趣？如果你想对它有更多的了解，不妨尝试在我们的网站里进行搜索哦。