CGD 官宣突破100kW以上技术，推动GaN挺进超100亿美元的电动汽车逆变器市场

ICeGaN HEMT 和 IGBT 的并联组合降低了成本、实现高效率

2025年3月11日 英国剑桥 -无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices(CGD)开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓(GaN)技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT IC 和绝缘栅双极晶体管(IGBT)组合在同一个模块或集成功率管理器件(IPM)中，最大限度地提高了效率，为昂贵的碳化硅(SiC)解决方案提供了具有成本效益的替代方案。

Giorgia longobardi博士 | CGD 创始人兼首席执行官

“目前，电动汽车动力系统逆变器要么使用低成本、在轻负载条件下效率低的 IGBT，要么使用高效但价格昂贵的 SiC 器件。我们新推出的联合 ICeGaN 解决方案将通过智慧地结合 GaN 和硅技术的优势保持器件的低成本和高效率，彻底改变电动汽车行业，为电动汽车提供更快的充电和更长的续航里程。CGD已经与一级电动汽车制造商及其供应链合作伙伴展开合作，将这项先进技术推向市场。”

CGD 专有的 Combo ICeGaN 解决方案利用了 ICeGaN 和 IGBT 器件具有相似驱动电压范围(例如0-20V)和出色栅极稳健性的特点，让双方在并行架构中运行。由于 ICeGaN 的开关非常高效，器件在相对较低的电流(轻负载)下运行时具有低导通和低开关损耗;而在相对较高的电流(接近满载或浪涌条件)下 IGBT 可以主导，因此 Combo ICeGaN 得益于 IGBT 的高饱和电流和雪崩箝位能力和ICeGaN 的高效开关性能。还有，在较高温度下，IGBT 的双极性元件将在较低的导通电压下开始导通，补充 ICeGaN 中的电流损失。相反，在较低的温度下，ICeGaN 将吸收更多的电流。在智能的管理下，其传感和保护功能可更加优化地驱动 Combo ICeGaN，增强 ICeGaN 和 IGBT 器件的安全工作区(SOA)。

ICeGaN 技术使电动汽车工程师能够在DC-DC转换器、车载充电器(OBC)和某些潜在的牵引逆变器方案中享受 GaN 的优势。Combo ICeGaN 则将 CGD 的 GaN 技术优势进一步扩展到更大的、100kW 以上的牵引逆变器市场。CGD 的 ICeGaN IC 久经市场检验，IGBT 也已在牵引逆变器和电动汽车应用方面有着悠久而可靠的历史。CGD 还拥有专有的 ICeGaN 器件与 SiC MOSFET 并联的解决方案。更多细节已披露在IEDM paper中。CGD预计将在今年年底前推出 Combo ICeGaN 的演示板。

FLORIN UDREA 教授 | CGD 创始人兼首席技术官

“我已经在功率器件领域工作了三十年，这是我第一次看到如此完美互补的技术搭配。ICeGaN 速度极快，在轻负载条件下表现出色;而 IGBT 在满载、浪涌条件和高温下具有巨大的优势。ICeGaN 提供片上智能;IGBT 提供雪崩能力。它们都是硅基，具有成本、结构和便于制造的优势。”

CGD 将参加于2025年3月16日至20日举办的APEC(应用电力电子会议和博览会)。如需了解更多联合ICeGaN 的详细信息，敬请莅临位于佐治亚州亚特兰大佐治亚世界会议中心的2039号 CGD 展位。