背面供电搭配全环绕栅极，英特尔打造芯片制造“新星组合”

在全球数字化浪潮汹涌推进的今天，半导体作为现代科技产业的基石，其重要性不言而喻。市场研究公司国际数据公司（IDC）发布的《全球半导体技术供应链情报报告》显示，全球对AI和高性能计算（HPC）的需求将继续上升，全球半导体市场预计2025年将增长超过15%。从智能手机到数据中心，从人工智能到物联网，每个领域都在呼唤更强大的性能和更低的功耗。

因此，包括英特尔在内的芯片制造商们都在寻求制程技术创新的突破，以满足日益增长的算力需求。而Intel 18A的亮相将为英特尔，以及半导体产业的持续发展带来新方向。

攻克两大技术突破实力出色

Intel 18A制程节点的两大核心技术突破将让英特尔重回技术创新最前沿成为可能。

首先是RibbonFET全环绕栅极晶体管技术。在芯片制程工艺不断进化的进程中，随着芯片密度不断攀升，由于漏电问题导致的发热现象似乎成为一种“魔咒”，成为前进道路上的主要障碍之一。而RibbonFET正是应对这一挑战的有效解决方案。

通过英特尔十多年来最重要的晶体管技术创新之一，英特尔实现了全环绕栅极（GAA）架构，以垂直堆叠的带状沟道，提高晶体管的密度和能效，实现电流的精准控制，在实现晶体管进一步微缩的同时减少漏电问题发生。

此外，RibbonFET提高了每瓦性能、最小电压（Vmin）操作和静电性能。无论在何种电压下，都能提供更强的驱动电流，让晶体管开关的速度更快，从而实现了晶体管性能的进一步提升。RibbonFET 还通过不同的带状宽度和多种阈值电压（Vt）类型提供了高度的可调谐性，为芯片设计带来了更高的灵活性。

其次，英特尔率先在业内实现了PowerVia背面供电技术，再次革新了芯片制造。随着越来越多的使用场景都需要尺寸更小、密度更高、性能更强的晶体管来满足不断增长的算力需求，而混合信号线和电源一直以来都在“抢占”晶圆内的同一块空间，从而导致拥堵，并给晶体管进一步微缩增加了难度。

PowerVia背面供电技术应运而生，通过将粗间距金属层和凸块移至芯片背面，并在每个标准单元中嵌入纳米级硅通孔 (nano-TSV)，以提高供电效率。这项技术实现了ISO功耗效能最高提高4%，并提升标准单元利用率5%至10%。

在两大核心技术的支持下，Intel 18A将实现芯片性能、密度和能效的显著提升。与Intel 3相比，Intel 18A的每瓦性能预计提升15%，芯片密度预计提升30%，这些改进不仅为英特尔自身产品提供了强大的性能支持，更将为诸多领域的未来创新应用奠定坚实的技术基础。从医疗影像诊断到智能交通的精准调度，助力整个科技产业迈向新的高度。

多元应用场景下，优势尽显

当前的AI原生时代下，对于高性能计算（HPC）、复杂的AI训练和推理任务等这类需处理海量数据、进行复杂运算，对性能要求近乎极致的应用场景对能效与性能有着严苛需求，PowerVia和RibbonFET两项技术突破能够为不同场景提供更加高效、稳定的技术支撑。