英特尔代工：先进制造与全球供应网络齐头并进

生活在21世纪，人们每天都要与各种电子设备打交道。从手机、电脑到新能源汽车，再到手表、戒指等可穿戴设备，这些产品正在变得越来越智能化，越来越“懂得”用户的需求。

在它们的背后，是AI、HPC等工作负载以指数级不断增长的算力需求。例如，一些分析师根据 OpenAI 的模型训练数据推断，AI 模型的算力需求每 3到4 个月就会翻一番，更有估算指出，在未来十年内计算性能需要提升60倍。

只有打造性能更强、效率更高、运行速度更快的半导体，才能满足这样的算力需求。作为面向AI时代的系统级代工，英特尔代工正通过技术和制造层面的全方位创新，朝着这一目标不懈努力。

系统级创新：先进制造与封装的融合演进

面对AI时代的算力需求，传统的“单芯片”设计已难以满足复杂工作负载的性能与能效要求。应对这一挑战的方法之一是引入“芯粒（chiplet）”技术。

芯粒是为某些特定任务而设计的小型处理单元，能够实现模块化设计与异构集成。通过芯粒技术，英特尔能够帮助客户设计应对特定工作负载的解决方案。同时，英特尔在推动行业标准方面也处于领先地位，积极参与制定通用芯粒互连标准（UCIe），使来自不同厂商的芯粒能够灵活组合，提升系统集成度与可扩展性。

英特尔代工：打造AI时代系统级代工新范式

为了实现芯粒之间的高效互连，英特尔代工开发了丰富全面的先进系统封装及测试（Intel Foundry ASAT）技术组合并不断迭代。例如，EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术通过在封装基板中嵌入硅桥，实现多个芯粒之间的高密度互连，避免传统中介层的尺寸与成本限制；Foveros技术通过将芯粒3D垂直堆叠，进一步提升密度、速度和能效；Foveros Direct 3D技术则进一步引入混合键合，将芯粒之间的铜凸点直接键合，替代传统的焊接连接，优化信号传输路径并降低功耗。

此外，英特尔正在研发120×120毫米的超大封装，并计划在未来几年内向市场推出玻璃基板（glass substrate）。与目前采用的有机基板相比，玻璃基板具有超低平面度、更好的热稳定性和机械稳定性等独特性能，能够大幅提高基板上的互连密度，为AI芯片的封装带来新的突破。

而在先进制程方面，英特尔代工凝聚数十年的技术积淀与知识产权，持续推进制程节点演进。当前处于风险试产阶段的Intel 18A制程，集成了RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电架构，与Intel 3制程节点相比，实现了每瓦特性能提升15%、芯片密度提升30%的显著进步。除用于英特尔产品外，Intel 18A制程节点还将向外部代工客户开放，预计首个客户将于2025年上半年完成流片。

同时，英特尔也在推进下一代Intel 14A制程的研发，将于2027年进入风险试产阶段。这一节点将采用第二代RibbonFET和背面供电技术，即PowerDirect直接触点供电技术。

从制造到交付：构建灵活、有韧性、可持续的全球化布局

在先进制程与封装技术不断演进的同时，如何将这些创新成果高效、稳定地转化为客户可用的产品，成为衡量代工服务能力的关键一环。英特尔代工不仅在技术上持续突破，也在全球范围内构建起具备韧性且可持续性的制造与交付体系，以赢得客户的信任。

遍布全球的英特尔代工设施向生态合作伙伴和客户开放，帮助他们设计和封装属于自己的芯片。英特尔代工为客户提供基础IP、工具和系统技术优化，加快新型半导体的研发和上市。此外，英特尔代工在全球四大区域运营，能够更方便地向客户提供服务，同时确保供应链的灵活性、韧性和可靠性。

英特尔代工：打造AI时代系统级代工新范式