容量翻倍耗电减少40%！Intel力拼2027年打造HBM内存替代方案

6月2日消息，据媒体报道，Intel将与软银合作，共同开发一种可取代HBM内存的堆叠式DRAM解决方案。

双方成立了一家名为“Saimemory”的新公司，将基于英特尔的技术和东京大学等日本学术界的专利，共同打造原型产品。

该合作的目标是在2027年前完成原型设计，并评估量产可行性，力争在2030年前实现商业化。

目前大多数AI处理器都使用HBM芯片，这类芯片非常适合暂存处理的大量数据，但由于其制造工艺复杂、成本高昂，且容易过热、耗电量大，限制了其广泛应用。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式，新方案有望实现至少大一倍的存储容量，同时将耗电量减少40%，并大幅降低成本。

软银将成为新公司的最大股东，出资约30亿日元，公司计划初期研发经费约150亿日元，如果这项技术成功，软银希望优先获得供应权。

由于AI芯片需求旺盛，HBM供应持续紧张，Saimemory希望通过这种替代产品，抢占至少日本数据中心的市场份额，此外这也是日本20多年来首次尝试重返内存芯片主要供应国之列。