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Standard-threshold 40V MOSFETs in enhanced STripFET F8 technology released

采用增强型STripFET F8技术的标准阈值40V MOSFET发布


ST has introduced 40V STripFET F8 MOSFETs with standard threshold voltage (VGS(th)), combining the advantages of the enhanced trench gate technology with superior noise immunity for applications with non-logic-level control.

意法半导体推出了具有标准阈值电压 (VGS(th)) 的40V STripFET F8 MOSFET,将增强沟槽栅极技术的优点与非逻辑电平控制应用的卓越抗噪性相结合。

The industrial-grade STL300N4F8 and automotive-grade STL305N4F8AG MOSFETs have a drain current rating above 300A and maximum RDS(on) of 1mΩ, permitting outstanding efficiency in high-power applications. Enhancing dynamic performance, the total gate charge of 65nC (typical) with low device capacitances (Ciss, Crss) ensure minimal losses at high switching frequency. The MOSFET body diode assists efficiency and reliability with low forward voltage and fast reverse recovery.

工业级STL300N4F8和车规级STL305N4F8AG MOSFET的漏极电流额定值高于300A,最大RDS(on)为1mΩ,在高功率应用中表现出出色的效率。为提高动态性能,65nC(典型值)的总栅极电荷和低器件电容(Ciss、Crss)确保了在高开关频率下的最小损耗。MOSFET体二极管通过低正向电压和快速反向恢复来提高效率和可靠性。

With the new device series, designers can take advantage of ST’s latest STripFET F8 technology in power supplies, converters, and motor drives of equipment like cordless appliances and industrial tools. The MOSFETs’ efficiency extends runtime per battery charge and reduces heat dissipation allowing operation at sustained high output with simplified thermal management to save space and lower bill-of-materials costs. The automotive-qualified devices target motor drives and DC/DC converters throughout the vehicle, including body electronics, chassis, and powertrain systems. Applications include window lifters, seat positioners, sunroof openers, fans and blowers, electric power steering, active suspension, and control systems for emissions reduction.

通过全新器件系列,设计者可在无绳电器和工业工具等设备的电源、转换器和电机驱动器中利用意法半导体全新的STripFET F8技术。MOSFET的效率不仅延长了每次电池充电的运行时间,减少了散热,还通过简化热管理,实现了持续高输出下的运行,在节省空间的同时,还降低了材料成本。车规级器件面向整台车辆的电机驱动器和DC/DC转换器,包括车身电子设备、底盘和动力总成系统。相关的应用包括车窗升降器、座椅定位器、天窗开启器、风扇和鼓风机、电动助力转向、主动悬架和减排控制系统。

ST’s STripFET F8 technology ensures ruggedness within a large safe operating area (SOA), enabling the devices to handle high power levels that impose large drain-source voltage (VDS) drops. In addition, the high maximum operating junction temperature of 175°C lets the MOSFETs withstand harsh usage in extreme environments.

意法半导体的STripFET F8技术确保了大安全工作区域 (SOA) 的稳健性,使器件能够处理施加大漏-源电压(VDS)降的高功率电平。此外,175°C的最高工作结温使MOSFET能够承受极端恶劣的使用环境。

In addition, the technology enables a small die size allowing low RDS(on) at a competitive price in a package that has a compact footprint. Both devices are available in a space efficient PowerFLAT 5x6 package, also including the wettable flanks option requested by the automotive industry.

不仅如此,该技术还实现了小芯片尺寸,能够在紧凑的封装中以具有竞争力的价格实现低RDS(on)。两款器件均采用节省空间的PowerFLAT 5x6封装,同时还包含了汽车行业要求的可湿性侧面选项。

The STL300N4F8 is available now priced from $0.8370 for orders of 1000 units. The STL305N4F8AG is priced from $0.9730 per 1000 units.

STL300N4F8可订购,千片起订单价0.8370美元。STL305N4F8AG(车规级)千片起订单价0.9730美元。

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