功率管的功耗：分为开关损耗和导通损耗两部分

[导读]当芯片承受2mA的电流和300V的电压时，其功耗将达到0.6W，这无疑会导致芯片发热。

在探讨MOS管发热的原因时，我们首先关注的是内置电源调制器的高压驱动芯片。当芯片承受2mA的电流和300V的电压时，其功耗将达到0.6W，这无疑会导致芯片发热。值得注意的是，驱动芯片所消耗的最大电流主要源于驱动功率MOS管。为了降低芯片的功耗，我们可以采取一些措施，如减小功率MOS管的cgs电容、降低gate电压以及优化频率。若这些参数无法调整，那么另一种策略是将芯片的功耗分散到芯片外的其他器件上，但需确保不会引入额外的功耗。简而言之，就是通过优化散热设计来降低芯片的温度。

功率管的功耗主要分为开关损耗和导通损耗两部分。在多数应用场合，尤其是LED市电驱动领域，开关损耗往往远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs电容、芯片的驱动能力以及工作频率紧密相关。因此，解决功率管发热问题可以从以下几个方面着手：首先，选择MOS功率管时，不能仅凭导通电阻大小来决定，因为内阻越小，其cgd和cgs电容也会越大。例如，1N60的cgs电容约为250pF，而5N60的则高达1200pF，选择时需综合考虑;其次，频率和芯片驱动能力也是关键因素。在频率选择上，需要权衡导通损耗与负载能力，避免频率过高导致功率管发热;最后，若需降低频率，还需注意峰值电流或电感值的调整，以防止电感进入饱和区域。若电感饱和电流足够大，可以考虑将CCM模式调整为DCM模式，但这需要增加一个负载电容来实现。

反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因?这是一个典型的问题，本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振，然而几天后我发现，当时我并没有充分理解问题，这位朋友所要了解的问题其实应细化为：为什么会有两次谐振，谐振产生的模型是怎样的?

如下为反激式电源实现方案，该方案采用初级侧稳压(PSR)技术，

Q1导通时，变压器初级电感存储能量，输出续流二极管Dfly反向偏置，Cout输出能量给负载;

Q1关断时，变压器初级线圈释放能量，输出续流二极管正向偏置，向输出端提供电能;

开关电源产生振铃的主要原因在于非理想器件存在功率级寄生电容、电感。所谓谐振，即：在MOS管开通、关断切换的过程中，寄生电感将能量传递给寄生电容进行充电，充电结束后寄生电容又释放电能给寄生电感储能，如此循环往复。

群友发出的图片中，有2次谐振，

第一次谐振

该谐振产生的时间点在MOS管关断的瞬间，等效谐振电路如下：

Loop：初次级间的漏电感、初级励磁电感、功率MOSFET封装电感之和

Coss：MOS管寄生电容、线路寄生电容

第二次谐振

这是开关电源DCM模式特有的一个振铃现象，

此处你必须要了解开关电源电感如下两种模式：

CCM：连续导通模式，次级端反射电流在MOS通断，变压器线圈换相期间不会到达0;

DCM：断续导通模式，次级端反射电流在MOS通断，变压器线圈换相期间到达0。

在DCM模式下，当MOS管关断，且在次级反射电流消耗为0之前，次级线圈输出相位的电压高于实际输出电压;当反射电流消耗为0，即次级线圈电流消耗为0时，实际输出电压由输出电容提供，此时次级输出相位的电压等于0，在次级输出相位电压由高于输出电压到等于0的变化过程中，会出现电压的衰减振荡，而该衰减振荡会耦合到初级线圈并加载在MOS与线圈连接的开关节点处。