存储无限 智联未来！宏芯宇携全栈产品精彩亮相elexcon2025

8月28日， elexcon2025 深圳国际电子展暨嵌入式展在深圳圆满落幕。作为存储领域的创新企业，宏芯宇以 “芯存无限，智联未来” 为主题精彩参展。展会期间，宏芯宇全面展出旗下自研主控芯片、嵌入式存储、固态硬盘、移动存储、内存产品等全栈产品矩阵，同步呈现多领域行业级解决方案，向业界展现了国产存储在从消费电子到汽车智能化的多元场景中的应用潜力与创新实力。

自研主控，筑牢存储技术底座

依托多年深耕存储领域的技术积累与持续的研发投入，宏芯宇已实现核心技术自主可控 —— 在 eMMC、PCIe SSD、SATA SSD、USB、UFS 五大主流存储品类中，布局了自研主控芯片，产品覆盖 AI 手机、AI PC、智能手表、智能平板、商显设备、网络通信等多元智能终端需求场景。本次展会，宏芯宇重点展出四款代表性主控芯片，其性能优势与技术特色备受关注：

HG2283 PCIe Gen3X4 SSD 主控芯片：采用集成SRAM创新设计，不需外挂DRAM，大幅简化硬件架构；支持主机内存缓冲器（HMB）技术，可高效利用主机内存提升存储性能；同时搭载 LDPC+RAID 双重纠错机制，保障数据存储稳定性。该芯片连续读写速度分别可达 3400MB/s 和 2500MB/s，为高性能存储设备提供核心支撑。

HG2259 SATA SSD 主控芯片：采用新一代 LDPC 纠错技术，纠错能力显著提升，可适配 3D TLC/QLC 等多种类型 NAND 闪存，兼容性极强；形态上支持 2.5 寸、M.2 2280、M.2 2242、mSATA 等主流规格，最大容量可拓展至 2TB，满足不同设备存储需求；顺序读写速度稳定达到 540MB/s 和 500MB/s，兼顾性能与实用性。

HG2232：eMMC5.1 主控芯片：采用 40nm 先进工艺制程，在实现主控芯片小面积设计的同时，有效降低运行功耗，适配低功耗设备场景；可完美搭配 3D TLC 闪存颗粒，搭配自研 SECC（Strong Error Correcting Code）错误纠正算法，纠错能力高达 300 bit/4KB，数据可靠性突出；连续读写速度分别达 300MB/s 和 200MB/s，满足中高端嵌入式设备存储需求。

HG2319：USB3.2 闪存盘主控芯片：基于 USB3.2 高速传输技术，突破传统闪存盘速度瓶颈，实现存储速度创新升级；内置 ECC 纠错算法，具备 BCH 90 Bit 纠错能力，有效降低数据传输与存储过程中的错误率；连续读写速度可达 200MB/s 和 130MB/s，为移动存储设备带来更快的传输体验。

全栈产品矩阵，适配多元存储需求

精准洞察全球存储市场需求变化，宏芯宇针对不同行业应用场景与客户个性化需求，构建起覆盖 “嵌入式存储、固态硬盘、移动存储、内存产品” 的全系列存储产品生态，产品广泛应用于消费电子、可穿戴设备、人工智能、安防监控、工业自动化、汽车电子、物联网、数据中心、服务器、网络通信及机器人等领域，以高性能、高可靠性满足各行业存储需求：

l  嵌入式存储

宏芯宇嵌入式存储产品涵盖eMMC、UFS、uMCP等系列，核心优势在于采用自主主控芯片与定制化固件算法，实现从 4GB 到 1TB 的全容量覆盖，适配不同设备存储规格需求。性能表现上，eMMC 产品读写速度分别可达 320MB/s 和 260MB/s，UFS 产品读取速度更是突破 4300MB/s，uMCP 产品则搭载 UFS2.2 + LPDDR4X 双协议，传输速率高达 4266Mbps，满足高速数据交互需求。此外，产品支持 - 40℃~85℃工业级宽温工作范围，搭配先进纠错技术，在消费电子、工业控制、汽车电子等严苛环境场景中均能稳定运行，为 AIoT 时代提供可靠存储保障。

l  固态硬盘

在固态硬盘领域，宏芯宇通过高性能主控芯片与自研固件算法的深度融合，既实现数据读写速度的显著提升，又满足不同场景下的大容量需求：

消费级 PCIe Gen4 SSD：提供 512GB~4TB 容量选择，顺序读写速度分别可达 7100MB/s 和 6500MB/s，相比市场同类产品具备明显速度优势，无论是大型文件传输、专业软件运行还是 3A 游戏加载，均能实现高效快速处理，为用户带来流畅使用体验。

企业级SSD：采用 PCIe Gen5 x 4 NVMe 2.0 高端协议，支持 LDPC+RAID 双重纠错机制，最大容量高达 16TB，连续读写速度分别达到 13GB/s 和 9GB/s；凭借高可靠性、超大容量与卓越的 IOPS表现，成为数据中心、云计算等企业级场景的理想存储解决方案，可支撑海量数据高效处理与长期稳定存储。

l  移动存储

宏芯宇移动存储产品包含 USB 闪存盘（支持 USB 3.2协议）与存储卡（Micro SD）两大品类，同样采用自主高性能主控芯片与优化固件算法，提供 2GB~2TB 多容量选择，适配笔记本电脑、智能手机、游戏机、相机、便携终端等各类移动设备，兼顾高速传输与便携性，满足用户随时随地的存储与数据交互需求。

l  内存产品

聚焦高性能内存产品研发，宏芯宇内存产品涵盖 LPDDR、DRAM、DRAM Module，其中 DRAM Module 严格遵循 JEDEC 国际标准设计规范：

DDR4 UDIMM/SODIMM：支持 8GB~32GB 容量，速率可达 2666Mbps~3200Mbps

DDR5 UDIMM/SODIMM：支持 8GB~64GB 容量，速率可达 4800Mbps~6400Mbps

内存产品产品可广泛应用于嵌入式产品、消费类笔记本、消费类台式机、及人工智能领域，为设备高效数据处理与稳定运行提供核心内存支撑。

深耕车规存储，助力汽车智能化升级

随着汽车产业向智能化、电动化加速转型，智能座舱、车载信息娱乐系统、自动驾驶系统（ADAS）及车身控制系统对存储产品的可靠性、稳定性与性能提出更高要求 —— 不仅需耐受极端温度、抗电磁干扰，还需满足长寿命、高安全等严苛标准。对此，宏芯宇深耕车规存储领域，从设计、生产、封装到测试全流程严格把控，确保产品符合汽车行业可靠性与功能安全需求。

目前，宏芯宇已推出 eMMC、UFS、eSSD 三大车规存储产品系列，所有产品均通过 AEC-Q100 Grade2/3 认证，并严格遵循 ISO 26262：2028 ASIL D 功能安全标准开发流程，可完美适配车载中控系统、数字仪表盘、T-box 等关键应用场景的长期稳定运行需求：

车规级eMMC：提供8GB~256GB 多容量配置，搭配硬件级 ECC/LDPC 纠错技术，读写速度可达 400MB/s，保障车载系统数据稳定存储与快速调用；

车规级UFS：支持UFS 2.1/3.1多版本协议，容量覆盖 64G~512G，内置 LDPC 纠错机制，读写速度可达 1600MB/s，满足自动驾驶场景下海量数据高速传输需求；

车规级eSSD：基于PCIe Gen 4X4 NVMe 1.4 协议，提供 256GB 至 1TB 大容量选择，传输速率高达 3700MB/s，为智能座舱、车载数据处理平台提供高性能存储支撑。

荣耀加冕，彰显海外存储市场新高度

宏芯宇重视存储业务的全球布局，积极践行国内国际双循环战略，海外业绩2024年表现亮眼，产品覆盖欧美、日韩、东南亚等20多个国家。凭借在海外市场的持续投入和出色的市场表现，荣获elexcon组委会颁发的“出海市场成长奖”。