雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念,雪崩击穿是可逆的吗?
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在材料掺杂浓度较低的PN结中,随着反向电压的增加,空间电荷区内的电场强度也逐渐增强。这使得通过空间电荷区的电子和空穴在电场作用下获得了更高的能量。在晶体中运动的这些粒子会频繁地与晶体原子发生碰撞,这些碰撞足以使共价键中的价电子摆脱束缚,从而产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场的作用下继续碰撞其他价电子,进而又产生更多的自由电子和空穴对。这种连锁反应导致阻挡层中的载流子数量像雪崩一样急剧增加,最终使得流过PN结的电流急剧上升,从而引发PN结的击穿。这种由于碰撞电离而导致的击穿现象被称为雪崩击穿,也常被称作电子雪崩现象。
值得注意的是,雪崩击穿具有正温度系数,而齐纳击穿则具有负温度系数。这一特性差异可以被利用来减小温漂效应。
当反向电压逐渐增大至某一阈值时,空间电荷区内会形成强大的电场。此电场强大到足以将共价键中的价电子剥离,因此在空间电荷区中产生了大量的电子-空穴对。这些电子-空穴对在强电场的作用下,空穴被推向P区,而电子则被推向N区,导致反向电流急剧上升。这种由于强电场直接引发大量电子-空穴对产生,进而造成反向电流的迅猛增长的现象,被称为齐纳击穿。
齐纳击穿通常出现在掺杂浓度较高的PN结中,因为这些结的空间电荷层相对较薄。在这样的结构中,即使是很小的反向电压也能在空间电荷区内建立起强大的电场。此外,随着温度的升高,电子的热运动会更加剧烈,使得较小的反向电压就能将价电子从共价键中释放出来。因此,温度升高时,击穿电压会相应下降,这也意味着齐纳击穿呈现出负的温度系数。
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗?
雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念,它是指当高压电力系统中的绝缘体遭受较高电压的冲击时,导致电流通过绝缘体并破坏其原本的绝缘性能。与之相似的概念是齐纳击穿,它也是导致绝缘体击穿的一种电气现象。尽管两者具有些许相似之处,但它们之间也存在一些明显的区别。
首先,齐纳击穿是指在绝缘体中出现电流突破,导致电压剧烈下降的现象。在该过程中,绝缘体会发生气体放电或击穿现象,产生较高的击穿电压。齐纳击穿通常发生在高电场强度区域,例如在电极尖端或电极间隙处。
另一方面,雪崩击穿是指电流在绝缘体中的导电路径形成,并且在绝缘体内传导,最终导致绝缘体完全击穿。该击穿过程通常是由于高电压引起的电子的离子化和加速,从而形成电子雪崩。尽管齐纳击穿通常发生在电极附近的局部区域,但雪崩击穿是通过整个绝缘体传导电流。
随着反向电压的逐渐增大,空间电荷区内的电场强度也不断增强,导致通过势垒区的载流子所获取的能量逐步提升。当反向电压逼近击穿电压UB时,这些能量较高的载流子在与空间电荷区内的中性原子发生碰撞时,会产生碰撞电离效应,进而生成新的电子-空穴对。这些新产生的电子和空穴在电场的作用下会再次获得能量,并与更多的中性原子发生碰撞电离,从而产生更多的电子-空穴对。这种连锁反应不断加剧,使得空间电荷区内的载流子数量如雪崩般增长,导致反向电流急剧上升,最终引发击穿现象。因此,这种击穿方式被称为雪崩击穿。
雪崩击穿通常出现在掺杂浓度较低且外加电压较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结拥有更宽的空间电荷区,为碰撞电离提供了更多的机会。
当反向电压增大至某一阈值时,势垒区内会形成强电场。这一电场强大到足以直接从共价键中拉出价电子,导致势垒区瞬间产生大量电子-空穴对。这些电子和空穴在电场作用下汇聚,形成显著的反向电流,从而触发击穿。这种现象,被称为齐纳击穿,它源于强电场对势垒区原子的直接激发。
齐纳击穿多见于掺杂浓度较高的PN结。这类PN结的空间电荷区宽度相对较窄,但电荷密度却很大。因此,即便施加较小的反向电压,也能在势垒区内建立起强大的电场,进而引发齐纳击穿。
PN结在反向击穿时,既可能发生齐纳击穿,也可能发生雪崩击穿。这两种击穿机制通常同时存在,但在不同的电压范围内,它们的贡献程度会有所不同。在电压低于5-6V时,齐纳击穿占据主导地位;而当电压高于5-6V时,雪崩击穿则更为显著。
对于稳压管而言,这两种击穿机制的区别主要体现在其温度系数上。在电压低于5-6V的稳压管中,由于齐纳击穿占主导,因此其稳压值的温度系数为负。而在电压高于5-6V的稳压管中,雪崩击穿成为主要机制,其稳压管的温度系数为正。当电压介于5-6V时,两种击穿机制的程度相当,从而使得稳压管的性能最为优越。因此,许多电路选择使用5-6V的稳压管。
此外,TVS稳压管在保护电路方面也发挥着重要作用。当瞬时电压超过电路的正常工作范围时,TVS二极管会通过雪崩效应提供一个超低电阻通路,将瞬时电流引导至二极管,从而保护被保护的器件免受过大电流的冲击。在电压恢复正常后,TVS二极管会恢复高阻状态,确保电路的正常运行。值得注意的是,TVS管的失效模式主要是短路,但在过大的过电流通过时,也可能导致其炸裂而开路。