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靠选定增益保持偏压的交流反相放大电路分析

电路的功能无需放大直流信号时，在输入电阻上串联一个隔直电容C1，可使偏置漂移忽略不计。这样即使放大器交流增益比较高，输出仍然是直流工作，OP放大器只作为单纯的放大元件使用。采用R3=R2来实现输入电流偏置，但由

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2012-01-23

IC 放大电路电路分析直流
直流反相放大器功能及原理分析

电路的功能OP放大器的反相放大电路用于信号的反相（选定R1=R2）或作单纯的放大器，其缺点是不能加大输入电阻。根据-A=R2/R1的公式，电压增益A等于电阻的比率，相当直观。电路工作原理因为OP放大器的同相输入端被接地

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2012-01-23

输入电阻反相放大器 OP放大器直流
用于高阻抗电路的低失真、低噪声放大器工作原理分析

电路的功能近年来，噪声及失真特性得到改进的低噪声放大器品种繁多，已无须用分立元件制作了。此外，也有为了使噪声减到最小而降低源极电阻，同时输入端的偏流IR又比通用OP放大器还大的OP放大器（如NE5534等）。但是

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2012-01-23

低失真电路低噪声放大器阻抗
台积联电景硕新春好兆头

可程序逻辑芯片大厂赛灵思（Xilinx）上季营收和获利均优于预期，本季营收将成长2%至6%，是继英特尔、台积电之后，另一家财报优于预期的半导体大厂，国内供应链成员联电（2303）、台积电、矽品和景硕等可望受惠。赛灵

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2012-01-21

联电 40纳米赛灵思台积电
变容二极管驱动技巧

变容二极管主要用于射频电路中，通过调节电压提供可变的电容。这种二极管通常用于电路调节，例如无线应用中，无线麦克风和收音机中使用的射频振荡器和滤波器。电路设计师应当了解使用非易失数模转换器为变容二极管(作

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2012-01-20

变容二极管输出电压偏置电压 DAC
GPRS在低压配变监控中的应用

一．引言随着电力城网、农网改造的逐步完善，一户一表工程、抄表到户工作的完成，对线损管理、提高供电质量、保证供电的可靠性、安全性提出了新的要求。 2003年国民经济继续保持了持续快速健康发展的良好态势，

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2012-01-20

GPRS 低压测控仪 BSP
LLC谐振转换器原理及设计步骤

多种类型的LED TV主功率级拓扑相继推出，比如非对称半桥转换器、双开关正激转换器和LLC谐振转换器。其中，LLC谐振转换器虽然相比其他转换器具有更多优势，但因为其设计复杂困难，所以在过去很少受到关注。不过，这几

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2012-01-20

谐振频率谐振转换器 BSP LLC谐振
分立元件低噪声、低失真前置放大器工作原理分析

为音响设备研制的OP放大器有以低器声见长的NE5532A、LM833A等，但这些IC受到输入阻抗、高频特性、电源电压的制约。而采用分立元件的晶体管电路则具有按使用要求进行设计的自由度。由于输入级采用了低噪声的并联J-FET

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2012-01-20

低失真低噪声分立元件前置放大器
话筒放大器的工作原理

电路的功能OP放大器的共模抑制比很大，可以很容易制作平衡输入电路。但这种电路往往会出现共模抑制比随频率增高而下降的现象，这样就很容易受高频噪声的影响。这里提供的电路，采用了平衡变压器控制共模抑制比，放大

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2012-01-20

放大器变压器频率特性 OP放大器
基于电调谐LC滤波器的研究与设计分析

1 引言　　通信对抗系统需要在复杂的信息环境下实现对信号的处理，需要滤波器实现信号的选择，滤波器主要应用于分离信号、抑制干扰，这是滤波器最广泛和最基本的应用。在这种应用中，他使所需要频率的信号顺利通过，

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2012-01-20

联电电容回路 LC滤波器
台积电被三星锁喉科技产业往哪走？

商周记者林宏达的一篇报导「三星掐住弱点锁喉，震惊台积电」在PTT科技业讨论区成为热门话题。这篇文章指出三星垂直整合手段高明、资金雄厚，从制程最前段一路整合技术与资源，根本不是一般企业玩得起。根据报导，三星

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2012-01-20

三星东芝台积电 SONY
巴克莱：台积电28奈米Q4营收比重15% 但毛利率仍有疑虑

台积电(2330-TW)法说下修今年整体半导体产业年增率，由原先3-5%调降至2%，预估今年第1季营收将持平，第2季走扬。巴克莱资本证券亚太区半导体首席分析师陆行之出具报告表示，预估台积电今年第4季28奈米占营收比15%，但

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2012-01-20

三星半导体产业台积电
台积电2012资本支出60亿美元　下降18%

台积电(TSMC)日前公布截至2011年12月31日的2011年第四季营收，合并营收为新台币1,047.1亿(约35亿美元)；净利新台币315.8亿(约10.5亿美元)。总计营收较前一年同期成长4.9%，净利成长22%。而与第三季相比，营收衰退1.7

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2012-01-20

三星台积电 ST TSMC
先进制程一马当先　台积20奈米年底试产

台积电将维持晶圆代工领先地位。现阶段台积电28奈米(nm)先进制程技术傲视群雄，加上其专攻2.5D及三维晶片(3D IC)的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)生态系统布局有成，光芒将压过积极扩大资本支出的三星(Samsung)或

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2012-01-20

晶圆代工先进制程台积电 OS
富士通研究所参考展出三维封装的芯片连接技术

通过此次技术进行CoW连接的300mm晶圆。（点击放大）展板。（点击放大）富士通研究所在“第13届半导体封装技术展”上，参考展出了不使用焊锡，在低温（225℃）下使铜凸点进行固相扩散的三维封装芯片连接技术，

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2012-01-20

富士通芯片晶圆封装

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