21ic讯 TDK集团的TDK-EPC公司研发了一系列小型爱普科斯(EPCOS) 金属化聚丙烯(MKP)与金属化聚乙烯对苯二甲酸酯(MKT)薄膜电容器。B32*6T系列、引线间距为37.5mm的新型电容器特点是高度仅为15mm或19mm。这些元件设计用于
CMOS成像解决方案的领先供应商Aptina今天宣布AR0832E背照式(BSI)图像传感器准备进入生产阶段,其庞大的产品组合将得以扩大。AR0832E是一款1/3.2英寸光学格式、800万像素传感器,拥有1.4微米BSI像素,可拍出精致图像,
晶圆代工厂台积电的董事长暨总执行长张忠谋周五表示,未来台积电中科15厂将陆续投资新台币3000亿元,月产能将逾10万片,并将创造8000个优质且高产值工作机会。他还称,半导体景气不会比金融海啸时更坏。 本报讯
SOI产业联盟(SOI Industry Consortium)和业界支持绝缘矽(silicon-on-insulator, SOI)的厂商们日前表示,已经有新证据显示,使用完全耗尽型的FDSOI技术,其风险将小于由英特尔所支持的FinFET。 SOI联盟表示,最近一项
展望2012年,DIGITIMES Research分析师柴焕欣分析,全球景气展望虽依然趋于保守,但以英特尔(Intel)为首的PC相关芯片大厂,皆已于2011年第2季即开始调节存货,亦使得来自PC相关芯片供货商存货金额连2季下滑。而通讯相
展望2012年,全球景气展望虽依然趋于保守,但受惠于智慧型手机与平板装置等应用需求依然相当强劲,通讯相关晶片供应商存货压力尚不显著,预估全球半导体产业调节库存的动作应会于2012年第2季时结束。综合电脑、消费、
Rorze支持4个端口的450mm晶圆搬运机器人在“Semicon Japan 2011”(2011年12月7~9日,幕张Messe会展中心)上首次展出。该机器人可使支持4个端口的制造装置开发变得容易,有助于削减成本及提高可靠性。 此前的
(点击放大) “Synapse V”(点击放大) 东电电子(TEL)一举投产了5款用于三维封装的TSV(硅通孔,through silicon via)制造装置,并在“Semicon Japan 2011”(2011年12月7~9日,幕张Messe会展中心
放入有晶圆的“微型硅梭” (点击放大) 光刻胶涂布装置(点击放大) 意在将半导体生产线的最小投资单位削减一个数量级的日本产综研(产业技术综合研究所:AIST)联盟的Fab系统研究会,其正在开发的“微型Fab”
实现了1级无尘标准(点击放大) 气流的直进性高(点击放大) 只在周围设置简易防风墙等即可实现无尘室的“FLOORKOACHE Ez”达到1级无尘标准,兴研在“Semicon Japan 2011”(2011年12月7~9日,幕张MESSE国际会
“STS会议1测试”刚刚开始。摄影:Tech-On!。(点击放大) 以前日本在LSI测试工作基本上是由集成器件厂商(Integrated Device Manufacturer,IDM)的测试部门承担的,与其他部门及外部委托方没什么关系。最近这种
低阻抗的地减小辐射,增强抗辐射能力,大面积的地还能起到屏蔽作用。通常有以下四种地的连接方法: 串联连接 并联连接 星形连接多点连接串联连接会产生一种所谓的共同阻抗路径,一个器件工作在这条路径上流过电流时会
a.OP增幅器构成的全波形整流电路patterning图1的全波形整流电路,经常因正端(plusside)与负端(minus)gain的未整合,导致波形不均衡,所以决定gain值的电阻使用误差为±1%的金属皮膜电阻。本电路可以使IC1b作差
集成电路各项参数一般对分析电路的工作原理作用不大,但对于电路的故障分析与检修却有不可忽视的作用。在维修实践中,绝大多数均无厂家提供的IC参数,但了解集成电路相关知识对检修工作仍有一定的帮助。 1.电参数
焊接绝缘栅(或双栅)场效应管以及CMOS集成块时,因其输入阻抗很高、极间电容小,少量的静电荷即会感应静电高压,导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法,取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。