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首条高端IC封装测试生产线在济南投产

本报讯（记者刘燕）12月16日，我国首条高端（FBGA）集成电路存储器封装测试生产线在济南上线投产。该生产线是浪潮继并购奇梦达中国研发中心后对奇梦达资产的二次抄底并购，并由此获得了世界先进水平的高端集成电路封

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2011-12-16

IC封装封装测试奇梦达随机存储器
高盛证看晶圆代工

高盛证券在最新半导体报告中指出，晶片大厂TI(德仪)、Altera、Intel(英特尔)皆在过去一周调降第四季财测，显示来自通讯基础建设、工业用、电脑与消费型电子产品需求的走软，而泰国水灾冲击供应链也是影响因素之一，高

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2011-12-16

供应链 Intel Altera 晶圆代工
MEMS组合传感器未来五年将强劲增长

据IHSiSuppli公司的MEMS市场简报，基于MEMS的多传感器封装，即所谓的“组合”传感器，将在消费应用与汽车应用领域具有非常光明的前景，未来五年在这两个领域的合计销售额将增长到现在的50倍。 MEMS组合传感器

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2011-12-16

传感器 MEMS IMU BSP
同业：代价偏高法人：得打硬仗

力成昨（15）日宣布公开收购超丰股权，溢价26.4%，超丰获利稳健，曾多次传出日月光及矽品有意收购，是热门标的，但以收购条件来看，业界认为「有点偏高」，也透露力成董事长蔡笃恭出手有点急。超丰在国内是老牌逻

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2011-12-16

DRAM 芯片晶圆厂 EPS
力成买超丰尬封测双雄

存储器封测龙头力成昨（15）日宣布，将以每股25.28元，总计不超过71.37亿元，于公开市场收购逻辑芯片封测厂超丰30%到51%股权，是继日月光以约259亿元收购福雷电之后，台湾封测业第二大的现金收购案。超丰昨天涨0.1

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2011-12-16

存储器芯片封装 IC设计
联电判罚500万确定

联电没有经过经济部同意，擅自前往大陆投资和舰遭500万元事件，即使自称是以「专门技术」投资，最高行政法院认为，用「专门技术」投资，也是投资项目，昨天判决，联电败诉确定。经济部与联电为和舰投资案对簿公

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2011-12-16

联电晶圆厂
Globalfoundries宣布完成20nm设计定案

ARM 与 Globalfoundries公司宣布，已完成其20nm晶片的设计定案(tape out)，并展示了采用28nm制程技术、频率达2.5GHz以上的 Cortex-A9 SoC 。 Globalfoundries表示，此次的设计定案是其技术品质认证平台(Technology

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2011-12-16

ARM 晶圆厂列处理器 GLOBALFOUNDRIES
台积电为3D IC逐步整合至封装领域

据悉，台积电目前正帮5家厂商生产3D测试芯片，包括找艾克尔(Amkor)当封装伙伴的赛灵思(Xilinx)。不过台积电表示，首批3D客户还是可持续仰赖外部合作伙伴，但未来新客户则只会提供单一整合解决方案。台积电已瞄准3D I

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2011-12-16

芯片封装台积电 IC
意法半导体MEMS创新设计竞赛云科大获冠军

意法半导体（STMicroelectronics）宣布，来自云林科技大学的「横扫千军」队荣获2011年iNEMO校园设计竞赛冠军。本届竞赛由意法半导体主办、中华民国微系统暨奈米科技协会协办，旨在于推广台湾MEMS创新设计的人才培育，

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2011-12-15

意法半导体 MEMS BSP INEMO
力成将以25.28元收购超丰3-5成股权溢价26%

全球IC封装测试产业版图再度掀起涟漪，记忆体封测龙头大厂力成科技(6239)宣布将以每股25.28元公开收购超丰电子(2441)，若以超丰今日收盘价20元计算，溢价幅度达26%，预计收购股权的比例目标将为30-50%。力成今日

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2011-12-15

电子 IC封装封装测试
ROHM推出业界最小尺寸的单一封装型电源模组

赖姿侑半导体制造商ROHM株式会社全新推出将电容、电感等电源所需的零件纳入单一封装中之超小型电源模组「BZ6A系列」，为业界体积最小，2.3mm×2.9mm×1mm的插入型(Plug-in type)产品，因此能有效协助体积日趋小型化

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2011-12-15

封装电源 ROHM HZ
ADI推出提供高精度和超低噪声的DAC--AD5790和 AD5780

21ic讯 Analog Devices, Inc.最近推出了提供高精度和超低噪声的 DAC（数模转换器）AD5790和 AD5780，可简化精密仪器仪表和分析设备的设计。新款高精度 DAC 内置集成式精密基准电压调理电路，可供系统立即使用，相较于

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2011-12-15

高精度超低噪声 DAC ADI
Vishay提高VJ HVArc Guard®表面贴装X7R MLCC的最小容量

21ic讯日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，提高其VJ HVArc Guard®表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值，公司会提供C0G(NP0)电介质，电压范围1000V～2500V，及采用0805～2225的

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2011-12-15

Vishay 高压 MLCC RC
TI推出高精度差动放大器INA149

21ic讯日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界最高精度差动放大器，充分满足高达 +275 V 高共模电压应用需求。该 INA149 支持 100 dB最佳共模抑制比 (CMRR)，与同类竞争产品相比，可将整体测量精度提高 1 倍，是首款可在

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2011-12-15

高精度差动放大器 INA
64位架构+大小核：昭示ARM移动互联“野心”

11月29日，ARM在北京举行了2011年度技术研讨会，并与Cadence、Synopsys、恩智浦（NXP）、碳设计系统（CarbonDesignSystem）、Marvell、QNX、ThunderSoft、芯原（VeriSilicon）、亿道电子等数十家合作伙伴进行了技术演

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2011-12-15

英特尔 ARM SoC 移动互联

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首条高端IC封装测试生产线在济南投产

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