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台积电28nm工艺正式进入量产
TSMC日前表示，该公司的28纳米工艺正式进入量产，而且已经开始出货给客户，成为专业集成电路服务领域率先量产28纳米芯片的公司。TSMC先进的28纳米工艺包括28纳米高效能工艺(28HP)、28纳米低耗电工艺(28LP)、 28纳米高
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台积电宣布28nm制程量产 各厂商均表欢迎
台积电今日在新竹总部宣布，该公司的28nm制程工艺正式迈入量产阶段，成为芯片代工行业首个量产28nm产品的厂商。台积电28nm制程包括28nm高性能（HP）、低耗电（LP）、高性能低耗电（HPL）以及高性能移动计算（HPM）。
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台积电28nm制程正式迈入量产
台积电(2330-TW)(TSM-US)今(24)日表示，该公司的28奈米制程正式进入量产，而且已经开始出货给客户，成为专业积体电路服务领域率先量产28奈米晶片的公司。 台积电表示，先进的28奈米制程包括28奈米高效能制程(28HP
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日月光已启动黄金十年计划 两岸频频扩产
全球第一大半导体封测厂日月光半导体(2311)10月23日上午于高雄市楠梓加工出口区，举行高雄K12厂落成与楠梓第二园区动土暨中坜厂新大楼动土的启动仪式。日月光董事长张虔生致词说，日月光已启动黄金十年计划，在不景气
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Panasonic传缩小晶片生产规模 扩大释单台积电/联电
日经新闻23日报导，为了配合电视事业的精简措施，Panasonic计划于今年度内(2012年3月底前)缩小半导体(晶片)的生产规模，并将裁撤1,000名员工。报导指出，因研判恐难于持续进行研发及设备投资，故Panasonic计划缩小日
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三星仍将为iPhone/iPad生产四核处理器
三星仍将会为苹果生产其未来iPhone与iPad所使用的A6四核心移动处理器芯片。外界原本认为苹果已经在今年九月与台湾的半导体制造厂商台积电签署了相关芯片供应协议，现在看来这项计划可能有变。三星为苹果iPhone4s所生
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台触控IC厂攻下大陆滩头堡 酝酿大反扑
尽管台系IC设计业者早已切入全球触控晶片市场，然因终端品牌厂较青睐外商晶片解决方案，加上国外触控晶片供应商纷推整合性平台及开发工具，协助客户快速开发产品应用，导致台系触控IC供应商一直难与国外触控晶片厂抗
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Vishay推出CAT IV高压隔离光耦CNY64ST和CNY65ST
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦---CNY64ST和CNY65ST，扩充其光电子产品组合。CNY64ST和CNY65ST系列产品通过了国际安全监管机构VDE的认证，具有长
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松下日本5家芯片厂将减产 外包比例提高至40%
据《日经商业日报》(Nikkeibusinessdaily)周日报道，电器制造商松下将于2012年3月底前减少日本国内半导体产品的产量，预计松下将裁员1000人左右。报道称，松下的五家国内芯片制造厂都将减产，其中包括生产高新产品的
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TE推出RTP器件最新成员RTP200R060SA
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
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日月光600亿投资大陆靠创新研发抢市占
全球最大封测厂日月光(2311)董事长张虔生表示，世界景气状况的确不好，他自己也看不到燕子，但日月光无惧不景气继续投资，就是靠创新与研发两大利器，拥有领先的优势，持续冲刺市占率，希望于2020年，在全球半导体的
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掀起脑波风暴 神念科技进军中国脑波科技市场
全球消费领域生物传感技术的领导者NeuroSky(神念科技)日前参加中国苏州电子信息博览会，首次面向中国市场发布了最新的2款脑波科技产品，MindFlex以及脑波光球，为中国消费者带来神奇的脑机接口技术，用意念控制物体，
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Panasonic传缩小晶片生产规模 扩大释单台积电/联电
日经新闻23日报导，为了配合电视事业的精简措施，Panasonic计划于今年度内(2012年3月底前)缩小半导体(晶片)的生产规模，并将裁撤1,000名员工。报导指出，因研判恐难于持续进行研发及设备投资，故Panasonic计划缩小日
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兄弟分工 封测、房产各拥一片天
「十个温州人九个商、还有一个会算帐」，用这句话来形容日月光张虔生家族的投资手法十分贴切。日月光张家由房地产起家，再跨足到半导体封测业，多年来在房市投资或股市投资上，一直受到国内外法人重视。从早年日月光
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ST采用矽穿孔技术实现更精巧的智慧化MEMS晶片
意法半导体(STMicroelectronics，ST)率先将矽穿孔技术(Through-Silicon Via，TSV)导入 MEMS 晶片量产。在意法半导体的多晶片 MEMS 产品(如智慧型感测器和多轴惯性模组)中，矽穿孔技术以短式垂直互连方式(short verti
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