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茂德以人民币1亿元卖掉重庆8吋晶圆厂
DRAM厂茂德23日公告，旗下大陆重庆8吋晶圆厂暂订以人民币1亿元（约新台币4.54亿元），卖给大陆中航航空电子系统公司。完成交易后，茂德将把营运重心全数聚焦在台湾12吋晶圆厂。茂德2007年底迄今，投入渝德的资本额约
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中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动
中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通
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18家国际知名半导体配套企业进驻大连
中国电子信息产业发展研究院等机构发布2011中国集成电路产业白皮书，白皮书称，中国集成电路产业集中位于东起上海、西至成都的集成电路产业“沿江发展轴”，以及北起大连，南至珠海的集成电路产业“沿海产业带”。大
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苹果越来越不牢靠 三星晶圆代工积极拓展新客源
三星电子(Samsung Electronics)于NAND Flash、DRAM、SRAM等存储器领域，皆已是市场领导级业者，因此，除维持此领先地位外，其也认为开发新成长事业有必要性，目前锁定的项目之一是晶圆代工业务。三星晶圆代工事业以2
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在一枚芯片上集成多个耐压各异的中高压晶体管
日立制作所宣布，开发出了有关中高耐压（35～300V左右）晶体管的两项技术。其一是在一枚芯片上集成源漏极耐压各不相同的多个晶体管的技术，另一个是可将栅源极耐压提高至300V的技术。 图1：可将耐压各不相同的
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东芝佐佐木社长：2013年80％以上的300mm晶圆SoC将外包生产
NAND战略（点击放大） 系统LSI战略（点击放大） 东芝代表执行董事社长佐佐木则夫在2011年5月24日举行的“2011财年经营方针说明会”上介绍了该公司的半导体业务经营战略。佐佐木表示，对于NAND闪存，将强化产品
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台积电以80奈米高电压制程为旭曜生产新型显示驱动晶片
旭曜科技与晶圆代工大厂台积电(TSMC)共同宣布，旭曜科技采用台积电80奈米高电压(High Voltage)制程技术，成功推出业界第一颗高整合度的智慧型手机高画质(High Definition)显示驱动晶片HD720。 旭曜科技 HD720 高画质
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跟踪负载拉移方法的演进
在线性系统中，简单地把小信号输入阻抗的复共轭用作源匹配网络、把小信号输出阻抗的复共轭用作负载匹配网络就可以了。但针对功率器件和它们的非线性特性，负载拉移系统可以提供必要的信息最大限度地提高宽频率范围内的功率转移和输出功率。
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看MMR如何帮助UWB带通滤波器优化性能
我们成功地采用具有双平行耦合线和矩形槽的均匀MMR实现了UWB微带带通滤波器设计。通过正确调整矩形槽的长度（L）、宽度（W）和位置（d），可以重新分配三个谐振频率，从而使UWB滤波器取得更好的通带性能，包括＜1.5dB的插入损耗和≥10dB的反射损耗，以及小于0.3ns的群延迟变化。测量得到的性能指标与仿真结果非常接近。
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全彩8扫点阵模块内部电路及扫描原理分析
本文分析了全彩8s点阵模块内部电路及实际针脚排列，同时分析了8s控制原理。
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一种基于数字预失真平台的推进算法研究
引言 在巨大的市场压力之下，高功率无线电设计似乎显得比以往任何时候都更具成本效益。其中，最重要组成部分便是发射机效率。简单看一下功率放大器（PA）的传递函数，就会发现线性度与电源效率之间存在根本的对立
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运用单个运算放大器驱动ADC的问题解析
引言 我们都知道影响数据采集系统的主要因素包括：速度、精度、功耗、封装尺寸及器件成本，对于不同的应用，最关键的因素也不同。本文描述了在八通道数据采集系统中，如何使用单个运算放大器来驱动ADC，以降低整个
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TI推出面向医疗影像应用的四通道16位ADC
21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首款面向磁共振成像 (MRI) 等医疗影像应用的四通道 16 位模数转换器 (ADC)。该 ADS5263 支持 10 MHz 输入，采样频率高达 100 MSPS，可实现 84.6 dBFS 的信噪比 (SNR)，从而可充分
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台积电12寸80纳米高压制程 首获订单
晶圆代工龙头台积电日前董事会核准约16亿美元资本支出预算，将部份12寸厂产能升级为特殊制程使用。台积电昨（24）日与LCD驱动IC厂旭曜科技共同宣布，旭曜针对智能型手机推出的高画质（HD）LCD驱动IC，已在台积电12寸
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ARM架构订单涌入晶圆双雄
台北国际计算机展（Computex）月底登场，随著第3季传统旺季到来，智能型手机及平板计算机等终端市场需求转强，ARM架构应用处理器（AP）回补库存需求大增，包括高通（Qualcomm）、美满科技（Marvell）、飞思卡尔、德仪
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