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英特尔考虑为竞争对手生产定制芯片

5月27日消息，英特尔CFO斯特西·史密斯（StacySmith）日前表示，英特尔将考虑为竞争对手生产芯片，但是利用英特尔产能生产非英特尔芯片，任何提议都须经过“深度讨论”。本周四，在伦敦的投资者会议结束后，斯特

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2011-05-27

芯片英特尔 ARM 平板电脑
IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器件

欧洲研究机构IMEC与其合作伙伴最近成功在200mm规格硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层，双方目前正合作研究基于氮化镓材料的HEMT（High electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管）异质结构晶体管

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2011-05-27

器件硅晶圆 GAN MT
台湾半导体业产能预估较去年成长4.4%

根据工研院IEK ITIS计划预估，2011全年展望台湾半导体产业为18,465亿新台币，较去年成长约4.4%。在IC设计业部分，由于PC/NB芯片成长力道转弱，预估2011全年仍将衰退3.9%；在IC制造业部分，预估2011年的年成长率达6

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2011-05-27

半导体产业封装芯片
台积建构28纳米设计系统

台积电昨（26）日宣布，已顺利在开放创新平台，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案（tape out）数量已达到89个。台积电也将在美国加州圣地牙哥举行的年度设

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2011-05-27

台积电 DAC DDR PD
台积电完成28纳米设计生态环境将于DAC发表

台积电（2330）今日宣布已顺利在开放创新平台上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积电开放创新平台所规划的28纳米完成新产品设计（tape out）数量已达到89个。台积电表示，将于美国加州圣地牙哥举行

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2011-05-27

台积电 DAC DDR PD
封测代工喊涨厂商Q3受补

日本311大地震后，包括银胶、环氧树脂、导线架等封装材料价格上涨，加上时间接近第3季传统旺季，封测厂产能利用率上升，部份产线已呈现满载现象，为了反应材料上涨成本及部份产能供不应求等实际市况，包括日月光、矽

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2011-05-27

DRAM 存储器封装环氧树脂
台积电建构完成

晶圆代工龙头台积电（2330）昨（26）日宣布，已顺利在开放创新平台（OIP）上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积电OIP平台所规划的28纳米新产品设计定案（tape out）数量已经达到89个。台积电将于近

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2011-05-27

生态系统台积电 DAC IP
一种低压低功耗衬底驱动轨至轨运算放大器设计

介绍了一种基于衬底驱动技术的低电压低功耗运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET，有效避开阈值电压限制；输出采用改进前馈式AB类输出级，确保了输出级晶体管的电流能够得到精确控制，使输出摆幅达到轨至轨。整个电路采用PTM标准0.18 μm CMOS工艺参数进行设计，用Hspice进行仿真。模拟结果显示，测得直流开环增益为62.1 dB，单位增益带宽为2.13 MHz，相位裕度52°，电路在0.8 V低电压下正常运行，电路平均功耗只有65.9 μW。

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2011-05-26

低功耗低压运算放大器放大器设计
十种类型现场总线的体系结构综述

10种类型现场总线采用完全不同的通信协议。Type1采用LAS方式和Publisher/Subscriber模式；Type2 ControlNet使用CTDMA方法和Producer/Consumer模式，EtherNet/IP使用Ethernet TCP/IP协议；Type3是令牌环和主站/从站方式；Type4通信采用虚拟令牌传递方式；Type5采用CSMA/CD方式和Ethernet TCP/IP协议；Type6使用TDMA多路存取方式；Type7使用总线裁决方式；Type8采用整体帧协议；Type9采用LAS方式和Publisher/Subscriber模式；Type10使用Ethernet TCP/IP协议。

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2011-05-26

现场总线 PS SE ETHERNET
台积电28奈米晶片设计生态环境建构完成

台积电(2330)今(26)日宣布，已顺利在开放创新平台(Open Innovation PlatformTM)上，建构完成28奈米设计生态环境，同时客户采用开放创新平台所规划的28奈米新产品设计定案(tape out)数量已经达到89个。此外，台积电亦

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2011-05-26

晶片台积电可制造性设计 REFERENCE
安森美推出集成ESD保护的共模滤波器

21ic讯安森美半导体(ON Semiconductor)推出一批新的共模滤波器(CMF)，这些器件集成了静电放电(ESD)保护，用于抑制噪声及提供高信号完整性。新器件包括EMI2121、EMI4182及EMI4183，非常适合于应用在智能手机、多媒

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2011-05-26

集成安森美共模滤波器 ESD保护
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用

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2011-05-26

晶体管制程技术 FINFET 英特尔
总投资14亿元人民币中国首条八英寸IGBT芯片生产线项目正式启动

中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应

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2011-05-26

大功率芯片生产线 IGBT MDASH
资本市场支持中山集成电路产业受惠

未来5到10年，中山集成电路产业的发展存在诸多利好因素，包括市场需求大、政策和资本市场支持，“十二五”期间国内集成电路产业将步入发展黄金期。近日，海关总署发布了2011年第30号公告，对外公告了海关支持集成电路

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2011-05-26

微米集成电路产业线宽集成电路生产
应用材料看淡本季财测忧晶片厂延缓投资

半导体设备大厂AppliedMaterials(AMAT-US)(应用材料)看淡本季营收表现，理由是经济疲软及日本震灾效应，已导致客户延缓扩张产能。受利空消息影响，应材24日盘后股价走低。尽管苹果iPhones、iPad等行动设备产品热卖，

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2011-05-26

晶片 EDA DMA GE

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