5月4日,英特尔公司美国加州总部宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来, 3D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特尔将推出被称为三栅极(
前不久Intel把3D立体概念应用在半导体制程的〝FinFET技术〞并发表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三维晶体管〞技术,简单地说就是把原本二维的平面栅级用一块非常薄的三维矽鳍片来取代,并且在立体的三个面上都放置了一个
日本强震对半导体影响逐渐解除,下游业者积极回补库存,日月光(2311)、矽品、京元电、欣铨、矽格等封测业者,喜迎整合元件大厂(IDM)急单涌至,第三季可望展现强劲爆发力。 高通、英飞凌、德仪、东芝和飞思卡尔
力成(6239)、尔必达(916665)与联电(2303)宣布三方将携手合作,针对28奈米及以下制程,提升3D IC的整合技术。力成对于3D IC布局动作快速,已规划成立新竹厂,并将于第三季进入试产阶段,希望可以成为市场技术的领导厂
EDA 公司 Atrenta 宣布,其与 IMEC 合作的 3D整合研究计划,己针对异质 3D堆叠晶片组装开发出了规划和分割设计流程。 Atrenta 和 IMEC 也宣布将在今年6月6~8日的 DAC 展中,展示双方共同开发的设计流程。 该设计流程
晶圆代工厂TowerJazz日前宣布的新加坡微电子研究院(IME)扩大合作开发8英寸微机电系统(MEMS)芯片的协议。双方合作开发的产品包括惯性传感器、压力传感器以及为第三方MEMS公司开发的硅片集成微反射镜系统等。TowerJazz
Billerbeck介绍Lattice Semiconductor公司业务战略(点击放大) 2011年5月24日,美国莱迪思半导体公司(Lattice Semiconductor)在东京举行业务说明会,该公司总裁兼首席执行官Darin Billerbeck介绍了今后的发展战
晶圆代工大厂台积电(TSMC)宣布,已顺利在开放创新平台(Open Innovation Platform)上,建构完成28纳米设计生态系统,同时客户采用台积电开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案(tape out)数量,已经达到89个。
PXI是一种基于商业现成可用(COTS)技术的可重配置的平台,并能适应当今与未来测控系统的发展需求。从1998年PXI标准诞生以来,PXI平台发展迅速,被用于各种有测量、控制或自动化需求的实际应用,PXI被选为数千种应用的实现平台。
摘要:针对SAR系统的测试要求,设计了一套基于DSP处理器TS101的SAR回波模拟器。该模拟器采用标准的CPCI 6U板。利用CPCI总线技术实现人机交互,能够根据目标回波参数生成所需的SAR回波数据,并通过DSP的链路口输出两路
本文介绍时钟抖动对高速链路性能的影响。我们将重点介绍抖动预算基础。 用于在更远距离对日益增长的海量数据进行传输的一些标准不断出现。来自各行业的工程师们组成了各种委员会和标准机构,根据其开发标准的目标
电子传产旺季点燃智能型手机和平板计算机需求,加上日本强震疑虑逐渐解决,主要芯片厂第三季急单涌进晶圆双雄台积电(2330)和联电,让二家晶圆代工厂产能利用率,7月即可回到接近满载高峰。台积电先前预告第二季部分
21ic讯 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积,较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间,其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W,在连续条件
21ic讯 英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新,设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上,英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2,它是世
全球领先的高性能模拟IC设计者及制造商奥地利微电子公司(SIX 股票代码:AMS)宣布将实施一项积极的计划,争取在2015年实现全面碳中立,成为全球半导体行业中首个实现碳中立的制造商。作为一个积极努力承担环境保护责任