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iSuppli研究报告称今年DRAM市场将维持连续2年双位数成长

IHSiSuppli(IHS-US)最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%，今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数成长。该项报告指出，全球DRAM模块的整体出货量，预估今年

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2011-05-31

DRAM ISUPPLI AC DDR3
南韩媒体称三星电子已完成3D芯片生产的准备工作正讨论量产时机

据南韩电子新闻报导，三星电子(SamsungElectronics)已完成3D芯片生产系统的建构，正准备投入量产。近来英特尔(Intel)宣告领先全球开发出3D芯片，三星也表示持有相当数量的相关技术，且已确保量产技术。业界专家认为，

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2011-05-31

英特尔三星电子芯片生产 3D芯片
为争取苹果新款CPU代工大单台积电动员内部设计团队消化ASSP方案

苹果(Apple)新款CPU委由台积电代工消息频传，但双方合作到底仍是在只闻楼梯响阶段，还是已见到人将下楼影子，观察台积电内部设计服务团队近期动作频频，加上嫡系设计服务公司创意电子亦已派员支持情况，台积电吃苹果

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2011-05-31

CPU 电动台积电 ASSP
NVIDIA寻20nm工艺伙伴欲摆脱台积电束缚

近日比利时注明的独立微电子研究机构IMEC近日宣布与NVIDIA达成合作协议，共同致力于先进CMOS工艺的研发。签署这份为期三年的协议后，NVIDIA将成为IMEC的InSite核心级别无工厂合作伙伴，能在第一时间为自己的下一代产

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2011-05-31

NVIDIA 微电子台积电制造工艺
一种自适应耦合TV和高阶PDE的图像放大模型

摘要：针对TV模型存在分块效应，而四阶PDE模型具有保持平坦区域光滑性的特点，提出自适应耦合TV和四阶PDE的正则化图像放大模型。根据图像内容合理调整耦合系数，在图像渐变和平坦区域运用四阶PDE扩散，消除分块效应；

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2011-05-31

模型耦合 TV 图像放大
TI最新电机驱动器评估平台全面支持有刷DC 与步进电机

日前，德州仪器(TI) 宣布推出针对电机启动的新一代系列可扩展评估平台中的首款评估套件(DRV8412-C2-KIT)。该套件包含直接启动两部有刷DC 电机或单部步进电机所需的所有软硬件。该款解决方案具有高集成度和高稳健性，

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2011-05-31

电机驱动器步进电机 DC
瑞信：晶圆代工、封测Q2接单稳，看好3档

瑞士信贷证券台湾区研究部主管艾蓝迪(Randy Abrams)今天出具半导体研究报告指出，下半年存货建置将不变，看到晶圆代工厂及封测供应商第二季下单率稳定，且大多数看好第三季展望为季节性旺季及智能手机存货建置增温

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2011-05-31

半导体晶圆代工联电台积电
英特尔宣布22nm芯片采用全新3D结构(图)

5月4日，英特尔公司美国加州总部宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来， 3D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特尔将推出被称为三栅极(

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2011-05-31

芯片英特尔摩尔定律栅极
3D半导体制程不是Intel柯断？

前不久Intel把3D立体概念应用在半导体制程的〝FinFET技术〞并发表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三维晶体管〞技术，简单地说就是把原本二维的平面栅级用一块非常薄的三维矽鳍片来取代，并且在立体的三个面上都放置了一个

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2011-05-31

半导体晶体管 Intel FINFET
狂吞IDM大单封测厂下半年展望

日本强震对半导体影响逐渐解除，下游业者积极回补库存，日月光（2311）、矽品、京元电、欣铨、矽格等封测业者，喜迎整合元件大厂（IDM）急单涌至，第三季可望展现强劲爆发力。高通、英飞凌、德仪、东芝和飞思卡尔

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2011-05-31

英飞凌飞思卡尔 DM
力成/尔必达/联电携手卡位3D晶片技术

力成(6239)、尔必达(916665)与联电(2303)宣布三方将携手合作，针对28奈米及以下制程，提升3D IC的整合技术。力成对于3D IC布局动作快速，已规划成立新竹厂，并将于第三季进入试产阶段，希望可以成为市场技术的领导厂

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2011-05-31

晶片联电尔必达封装技术
IMEC、Atrenta开发最新3D晶片设计流程

EDA 公司 Atrenta 宣布，其与 IMEC 合作的 3D整合研究计划，己针对异质 3D堆叠晶片组装开发出了规划和分割设计流程。 Atrenta 和 IMEC 也宣布将在今年6月6~8日的 DAC 展中，展示双方共同开发的设计流程。该设计流程

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2011-05-31

晶片应力 DAC 3D设计
晶圆代工厂TowerJazz和新加坡微电子研究院合作开发MEMS产品

晶圆代工厂TowerJazz日前宣布的新加坡微电子研究院(IME)扩大合作开发8英寸微机电系统(MEMS)芯片的协议。双方合作开发的产品包括惯性传感器、压力传感器以及为第三方MEMS公司开发的硅片集成微反射镜系统等。TowerJazz

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2011-05-31

晶圆代工微电子新加坡 MEMS
“65nm之后将推进28nm”——FPRG制造商莱迪思加快微细化进程

Billerbeck介绍Lattice Semiconductor公司业务战略（点击放大） 2011年5月24日，美国莱迪思半导体公司（Lattice Semiconductor）在东京举行业务说明会，该公司总裁兼首席执行官Darin Billerbeck介绍了今后的发展战

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2011-05-31

进程莱迪思 CK 65NM
台积电28纳米设计生态系统已就绪

晶圆代工大厂台积电(TSMC)宣布，已顺利在开放创新平台(Open Innovation Platform)上，建构完成28纳米设计生态系统，同时客户采用台积电开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案(tape out)数量，已经达到89个。

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2011-05-31

生态系统模拟台积电 DFM

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iSuppli研究报告称今年DRAM市场将维持连续2年双位数成长

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