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台积电完成28奈米环境规划 持续稳坐龙头宝座
台积电26日宣布，已顺利在开放创新平台(OIP)建构完成28奈米制程设计生态环境，此举表示台积电继40奈米制程提前1季进度量产下，内部28奈米制程演进速度也同步超前，预期2011年下半就可加入营运，台积电先进制程技术的
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3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请
据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收
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英特尔考虑为竞争对手生产定制芯片
5月27日消息，英特尔CFO斯特西·史密斯（StacySmith）日前表示，英特尔将考虑为竞争对手生产芯片，但是利用英特尔产能生产非英特尔芯片，任何提议都须经过“深度讨论”。本周四，在伦敦的投资者会议结束后，斯特西·
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王宁国：中芯国际要用最短时间做到30亿美元
王宁国，美国加利福尼亚大学伯克利分校材料科学及工程系博士，拥有30多年的半导体行业经验，是全球半导体业内著名资深专才，享有很高的声誉和影响力。2005年9月至2007年6月，王宁国回到中国大陆担任华虹集团有限公司
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3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请
新闻来源:Digitimes 据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获
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模拟产业再掀收购潮 Skyworks收购AATI
据国外媒体报道，模拟和混合信号芯片供应商Skyworks周四表示，将以2.64亿美元收购模拟芯片供应商研诺逻辑（AATI）。Skyworks表示，将以6.13美元每股的价格收购AATI，与其30天均价相比，溢价近一倍。Skyworks将以现金
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台积电20nm将采用193nm液浸式光刻+透明式双重成像作金属线层
台积电日前已经宣布顺利在其开放创新平台建构完成其28nm制程设计生态环境，不过更令我们感兴趣的是他们同时还宣布将在即将于加州召开的设计自动化会议 （Design Automation Conference (DAC) ）上，首度对外展示其20
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英特尔考虑为竞争对手生产定制芯片
5月27日消息，英特尔CFO斯特西·史密斯（StacySmith）日前表示，英特尔将考虑为竞争对手生产芯片，但是利用英特尔产能生产非英特尔芯片，任何提议都须经过“深度讨论”。 本周四，在伦敦的投资者会议结束后，斯特
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IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器件
欧洲研究机构IMEC与其合作伙伴最近成功在200mm规格硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层，双方目前正合作研究基于氮化镓材料的HEMT（High electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管）异质结构晶体管
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台湾半导体业产能预估较去年成长4.4%
根据工研院IEK ITIS计划预估，2011全年展望台湾半导体产业为18,465亿新台币，较去年成长约4.4%。 在IC设计业部分，由于PC/NB芯片成长力道转弱，预估2011全年仍将衰退3.9%；在IC制造业部分，预估2011年的年成长率达6
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台积 建构28纳米设计系统
台积电昨（26）日宣布，已顺利在开放创新平台，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案（tape out）数量已达到89个。 台积电也将在美国加州圣地牙哥举行的年度设
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台积电完成28纳米设计生态环境 将于DAC发表
台积电（2330）今日宣布已顺利在开放创新平台上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积电开放创新平台所规划的28纳米完成新产品设计（tape out）数量已达到89个。 台积电表示，将于美国加州圣地牙哥举行
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封测代工喊涨 厂商Q3受补
日本311大地震后，包括银胶、环氧树脂、导线架等封装材料价格上涨，加上时间接近第3季传统旺季，封测厂产能利用率上升，部份产线已呈现满载现象，为了反应材料上涨成本及部份产能供不应求等实际市况，包括日月光、矽
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台积电建构完成
晶圆代工龙头台积电（2330）昨（26）日宣布，已顺利在开放创新平台（OIP）上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积电OIP平台所规划的28纳米新产品设计定案（tape out）数量已经达到89个。 台积电将于近
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一种低压低功耗衬底驱动轨至轨运算放大器设计
介绍了一种基于衬底驱动技术的低电压低功耗运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET，有效避开阈值电压限制；输出采用改进前馈式AB类输出级，确保了输出级晶体管的电流能够得到精确控制，使输出摆幅达到轨至轨。整个电路采用PTM标准0.18 μm CMOS工艺参数进行设计，用Hspice进行仿真。模拟结果显示，测得直流开环增益为62.1 dB，单位增益带宽为2.13 MHz，相位裕度52°，电路在0.8 V低电压下正常运行，电路平均功耗只有65.9 μW。
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