经过长时间的等待之后,铁电体内存(FRAM)厂商Ramtron公司终于宣布其委托IBM代工的首批样品验证用FRAM芯片已经制作测试完成,开始进入样件送样/客户验证阶段。 资料:Ramtron的铁电体产品存储单元结构
世界领先的低功耗铁电记忆体(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布选择台湾京元电子股份有限公司(KYEC)来扩大其全部F- RAM产品系列的组装和测试能力。 京元电
在最近举办的高级半导体制造大会(ASMC)上,GlobalFoundries公司纽约州Fab8工厂的总经理Norm Armour称工厂的首台生产设备将于6月1日装机就位。Armour称,Fab8工厂将于明年中开始进行产量提升,到2014年末,工厂的月
应用材料公司的CEO Mike Splinter在公司的二季度财报会议上表示,半导体产业内向450mm晶圆规格的转换过程将在2015-2017年间启动,他并提醒半导体制造商们要注意避免在从300mm规格转向450mm规格时可能会出现的一些问题
从北京飞到台北只需两个多小时,然后沿路南行,不到一小时的车程就能抵达新竹科技园。 这个被各式高大玻璃帷幕建筑填满的园区堪称台湾科技业中枢:驶进大门,左边的友达光电是世界一流的液晶面板制造商,右边的联
低功耗铁电存储器(F-RAM)供应商美国Ramtron表示,与封测厂京元电(2449)扩大合作,Ramtron将把全部的F-RAM产品交由京元电封装及测试。Ramtron表示,京元电在特殊存储器封测市场具有技术领先地位,可为Ramtron提供
尽管应材公司本季财测不如预期引发芯片设备支出恐将减缓的疑虑,但晶圆双雄台积电和联电昨(25)日均强调,今年资本支出仍维持原订的78 亿美元和18亿美元不变。 台积电和联电都表示,由于应用在智能型手机和平板计
DRAM厂茂德23日公告,旗下大陆重庆8吋晶圆厂暂订以人民币1亿元(约新台币4.54亿元),卖给大陆中航航空电子系统公司。完成交易后,茂德将把营运重心全数聚焦在台湾12吋晶圆厂。茂德2007年底迄今,投入渝德的资本额约
中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基,这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,广泛应用于轨道交通
中国电子信息产业发展研究院等机构发布2011中国集成电路产业白皮书,白皮书称,中国集成电路产业集中位于东起上海、西至成都的集成电路产业“沿江发展轴”,以及北起大连,南至珠海的集成电路产业“沿海产业带”。大
三星电子(Samsung Electronics)于NAND Flash、DRAM、SRAM等存储器领域,皆已是市场领导级业者,因此,除维持此领先地位外,其也认为开发新成长事业有必要性,目前锁定的项目之一是晶圆代工业务。三星晶圆代工事业以2
日立制作所宣布,开发出了有关中高耐压(35~300V左右)晶体管的两项技术。其一是在一枚芯片上集成源漏极耐压各不相同的多个晶体管的技术,另一个是可将栅源极耐压提高至300V的技术。 图1:可将耐压各不相同的
NAND战略(点击放大) 系统LSI战略(点击放大) 东芝代表执行董事社长佐佐木则夫在2011年5月24日举行的“2011财年经营方针说明会”上介绍了该公司的半导体业务经营战略。佐佐木表示,对于NAND闪存,将强化产品
旭曜科技与晶圆代工大厂台积电(TSMC)共同宣布,旭曜科技采用台积电80奈米高电压(High Voltage)制程技术,成功推出业界第一颗高整合度的智慧型手机高画质(High Definition)显示驱动晶片HD720。 旭曜科技 HD720 高画质
在线性系统中,简单地把小信号输入阻抗的复共轭用作源匹配网络、把小信号输出阻抗的复共轭用作负载匹配网络就可以了。但针对功率器件和它们的非线性特性,负载拉移系统可以提供必要的信息最大限度地提高宽频率范围内的功率转移和输出功率。