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十种类型现场总线的体系结构综述

10种类型现场总线采用完全不同的通信协议。Type1采用LAS方式和Publisher/Subscriber模式；Type2 ControlNet使用CTDMA方法和Producer/Consumer模式，EtherNet/IP使用Ethernet TCP/IP协议；Type3是令牌环和主站/从站方式；Type4通信采用虚拟令牌传递方式；Type5采用CSMA/CD方式和Ethernet TCP/IP协议；Type6使用TDMA多路存取方式；Type7使用总线裁决方式；Type8采用整体帧协议；Type9采用LAS方式和Publisher/Subscriber模式；Type10使用Ethernet TCP/IP协议。

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2011-05-26

现场总线 ETHERNET PS SE
台积电28奈米晶片设计生态环境建构完成

台积电(2330)今(26)日宣布，已顺利在开放创新平台(Open Innovation PlatformTM)上，建构完成28奈米设计生态环境，同时客户采用开放创新平台所规划的28奈米新产品设计定案(tape out)数量已经达到89个。此外，台积电亦

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2011-05-26

晶片台积电可制造性设计 REFERENCE
安森美推出集成ESD保护的共模滤波器

21ic讯安森美半导体(ON Semiconductor)推出一批新的共模滤波器(CMF)，这些器件集成了静电放电(ESD)保护，用于抑制噪声及提供高信号完整性。新器件包括EMI2121、EMI4182及EMI4183，非常适合于应用在智能手机、多媒

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2011-05-26

集成安森美共模滤波器 ESD保护
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用

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2011-05-26

晶体管英特尔制程技术 FINFET
总投资14亿元人民币中国首条八英寸IGBT芯片生产线项目正式启动

中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应

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2011-05-26

大功率芯片生产线 IGBT MDASH
资本市场支持中山集成电路产业受惠

未来5到10年，中山集成电路产业的发展存在诸多利好因素，包括市场需求大、政策和资本市场支持，“十二五”期间国内集成电路产业将步入发展黄金期。近日，海关总署发布了2011年第30号公告，对外公告了海关支持集成电路

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2011-05-26

微米集成电路产业线宽集成电路生产
应用材料看淡本季财测忧晶片厂延缓投资

半导体设备大厂AppliedMaterials(AMAT-US)(应用材料)看淡本季营收表现，理由是经济疲软及日本震灾效应，已导致客户延缓扩张产能。受利空消息影响，应材24日盘后股价走低。尽管苹果iPhones、iPad等行动设备产品热卖，

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2011-05-26

晶片 EDA DMA GE
Ramtron宣布IBM代工芯片样品进入送样/客户验证阶段

经过长时间的等待之后，铁电体内存（FRAM）厂商Ramtron公司终于宣布其委托IBM代工的首批样品验证用FRAM芯片已经制作测试完成，开始进入样件送样/客户验证阶段。2009年，Ramtron与IBM公司达成代工FRAM芯片的协议，按照

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2011-05-26

IBM 芯片 FRAM RAMTRON
GlobalFoundries公布Fab8最近进展状况

在最近举办的高级半导体制造大会（ASMC）上，GlobalFoundries公司纽约州Fab8工厂的总经理NormArmour称工厂的首台生产设备将于6月1日装机就位。Armour称，Fab8工厂将于明年中开始进行产量提升，到2014年末，工厂的月产

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2011-05-26

芯片厂 ARM GLOBALFOUNDRIES FAB
应用材料公司谈450mm晶圆规格转换

应用材料公司的CEOMikeSplinter在公司的二季度财报会议上表示，半导体产业内向450mm晶圆规格的转换过程将在2015-2017年间启动，他并提醒半导体制造商们要注意避免在从300mm规格转向450mm规格时可能会出现的一些问题。

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2011-05-26

芯片厂商晶圆应用材料公司 DRAM芯片
张忠谋：台湾半导体教父的“极限制造”

从北京飞到台北只需两个多小时，然后沿路南行，不到一小时的车程就能抵达新竹科技园。这个被各式高大玻璃帷幕建筑填满的园区堪称台湾科技业中枢：驶进大门，左边的友达光电是世界一流的液晶面板制造商，右边的联发科

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2011-05-26

半导体 40纳米 CE FAB
台积、联电 Q2产能续增

尽管应材公司本季财测不如预期引发芯片设备支出恐将减缓的疑虑，但晶圆双雄台积电和联电昨（25）日均强调，今年资本支出仍维持原订的78亿美元和18亿美元不变。台积电和联电都表示，由于应用在智能型手机和平板计算机

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2011-05-26

晶圆代工联电台积电 FREESCALE
韩DRAM微细制程比重高占市场优势

据韩国电子新闻报导，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其它

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2011-05-26

DRAM 美光尔必达 40纳米
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收

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2011-05-26

晶体管英特尔制程技术 FINFET
中国首个高清编解码芯片在镇实现量产

记者从镇江新区获悉，近日，中国首个基于AVS标准编解码芯片实现量产。落户镇江新区的唐桥微电子有限公司的海归博士团队历经3年研发，成功研制并量产国内首个支持AVS标准的SoC编码芯片，实现了国内高清编解码芯片零的

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2011-05-26

音视频 SoC 编解码芯片 AVS

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