• 台积电明年资本支出再提高 外资：可能高达2100亿

    台积电(2330-TW)董事长张忠谋昨日在法说会上提到，将大幅增加明年的资本支出，外资估计台积电明年资本支出金额可望上看 2100 亿。 张忠谋宣布明年资本支出将大幅调升，透过高研发与高资本支出，提高公司附加价值

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    2010-10-30
    台积电 IC

  • 中芯北京二期扩产传获大陆官方挹注5亿美元资金

    路透社报导，消息人士透露，大陆最大晶圆代工业者中芯国际(0981.HK)的北京二期扩产计划，传将获得大陆政府挹注5亿美元，该厂产能主要将用来专攻65奈米制程的生产。 中芯过去几年一直采大规模扩张策略，几乎都处

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    2010-10-30
    中芯国际 中芯 芯片厂 晶圆代工

  • 日月光明年投资不亚于今年，三大引擎启动

    全球封测龙头厂日月光(2311)财务长董宏思认为，日月光明年的成长力道，不但会高于半导体产业平均值，甚至也会优于上下游以同业水平，主要成长动力来自于三大引擎，同时预估明年的资本支出将不亚于今年，约有7亿-8亿

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    2010-10-30
    晶圆 封装 组件 AN

  • 日月光Q3报喜 明年首季乐观

    封测大厂日月光半导体（2311）昨（29）日举行法说会，不仅第3季财报表现优于市场预期，每股净利高达0.91元，第4季因受惠于IDM厂扩大委外，出货量持续提升，就算考虑黄金涨价及汇率升值因素，封测事业及EMS事业营收均

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    2010-10-30
    半导体市场 DM

  • 日月光前3季EPS 2.24元 Q4毛利将下滑

    日月光（2311）昨（29）日召开法说会，公布第三季合并净利为54.6亿元，季增18％、年增71％，每股盈余0.91元；日月光财务长董宏思说，第三季获利超乎公司预期，主要是受惠于市占率提升；累计前三季税后净利134.68亿元

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    2010-10-30
    电子 智能型 EPS

  • 世界 第4季晶圆出货减3成

    晶圆代工厂世界先进（5347）昨（29）日举行法说会，世界先进总经理方略表示，由于客户端第3季下单太乐观，如今市场库存水位过高，上游客户已开始调节存货，所以第4季晶圆出货量将较前一季大幅减少3成比重。 世界

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    2010-10-30
    晶圆代工 晶圆

  • 中芯国际正式入主武汉新芯

    为了扩大产能规模，中芯将捧现金入主武汉新芯12吋晶圆厂，目标在明年产出每月2万片的65到45奈米12吋晶圆；另外，路透社昨天报导，中芯国际获得官方5亿美元注资，用作北京扩充产能。 《第一财经日报》报导，武汉东

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    2010-10-30
    中芯国际 集成电路 晶圆厂 半导体制造

  • 多级低通有源滤波器的设计考虑因素

    　　概要　　常见的多级低通有源滤波器的增益排序方法是把大部分乃至全部增益放在第一级。如果只考虑要降低低频的输入参考噪声，这是正确的设计方法。然而，其它的几种考虑因素可能会使您改变这种增益排序，以实现更

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    2010-10-29
    低通 带宽 有源滤波器 BSP

  • 英特尔、三星和东芝将携手发展10纳米技术

    日经新闻报导指出,晶片大厂英特尔(INTC.O:行情)、东芝(6502.T:行情)及三星电子(005930.KS:行情)将携手发展奈米(纳米)技术,可能在2016年前将半导体线宽缩减逾半至接近10奈米.日经报导称,全球第一大NAND型记忆体厂商三

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    2010-10-29
    三星 英特尔 东芝 纳米技术

  • 中芯国际称将注资武汉新芯

    10月29日消息，中芯国际今日发布公告称，公司与武汉东湖新技术开发区管委会正式签订合作协议，中芯国际和武汉方将通过现金注资的方式，对武汉新芯12英寸芯片生产线实施合资经营。中国工程院周济院长、国家发改委、国

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    2010-10-29
    中芯国际 晶片 纳米技术 芯片生产线

  • 台积获利创新高 张忠谋：客户还在排队 前3季EPS4.67

    台积电昨天法说会，公布第3季税后获利达469.4亿元，创单季历史新高，每股税后纯益1.81元。展望第4季，预估合并营收较第3季小幅减少2.9-4.7％，董事长张忠谋认为，明年晶圆代工业整体成长14％，台积电则会优于产业水平

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    2010-10-29
    晶圆代工 EPS PS4 台积电

  • 英特尔10亿美元胡志明封测厂29日开幕

    据法新社(AFP)报导，全球最大芯片龙头英特尔(Intel)在越南胡志明市的封测厂将在29日开幕，这座耗资10亿美元兴建的厂房是英特尔旗下最大的封测厂，从构思到启用为期4年，包含越南高层以及英特尔高层将亲赴剪彩。该厂房

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    2010-10-29
    Intel 英特尔 AN ADAM

  • Intel D1X Fab已经预备生产450mm晶元

    Intel公司于日前宣布，该公司位于俄勒冈州希尔斯伯勒的D1X Fab很有可能会成为世界上第一家生产450mm晶元的半导体工厂。尽管该工厂最初会使用300mm晶元来生产芯片，但是不久之后Intel将会对生产设备进行升级，从而生产

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    2010-10-29
    Intel 芯片 API FAB

  • 用3D IC技术提供整体封装为工程师提供高效设计方案

    对IC封装永无止境的改进给工程师提供了比以往更多的选择来满足他们的设计要求。随着越来越多的先进方法浮出水面，封装类型将变得越来越丰富。 今天，用更低的成本将更多功能集成进更小的空间占了主导地位，从

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    2010-10-29
    工程师 封装 MEMS IC

  • 用频率采样法设计FIR滤波器

    窗函数法和频率采样法是两种较为典型的FIR数字滤波器设计方法。目前，相关的《数字信号处理》教科书对窗函数法设计FIR滤波器进行了较为详细的论述，但对用频率采样法设计FIR滤波器这部分内容讲解得不够细致，让初学的学生感到难以理解。针对用频率采样法设计FIR滤波器的相关问题进行了较为深入的探讨，并结合实例借助Matlab软件进行了仿真和验证。仿真结果表明，选择合适的过渡采样点和滤波器长度，可以有效地控制阻带衰减、过渡带宽及计算复杂度。

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    2010-10-29
    相位 FIR滤波器 BSP 频率采样
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