在“ISSCC 2013”开幕当天即2月17日(美国时间)举行的“Circuit Design using FinFETs”上,台积电(TSMC)项目总监、首席技术官许炳坚(Bing J. Sheu)发表演讲,介绍了使用FinFET的标准单元、SRAM及模拟电路的设计
市场研究机构 DIGITIMES Research 观察指出,在不考量整合元件厂(Integrated Device Manufacturer,IDM)封测部门产值表现前提下,全球专业代工封测产业景气受到包括智慧型手机与平板电脑等行动上网装置出货量大幅成长
台积电(2330)昨(19)日从南到北各厂区,统一在上午11点举行团拜,位于竹科总部大楼的团拜,主要由新竹12厂Fab12厂长林廷皇主持,主祭坛还出现发炉现象,象征台积电今年营运旺上加旺。 台积电每年团拜,董事长张
先进的制造工艺始终都是Intel面对任何竞争最强有力的武器,Intel也在矢志不渝地维护和扩大这种领先优势。以色列南部城市水牛城(Kiryat Gat)的晶圆厂Fab 28,目前就正在生产22nm Ivy Bridge,而在未来数年,这里将跳过
IC封测矽格(6257-TW)公布 1 月合并营收达4.32亿元,较12月增加0.75%,较去年同期增加25.5%。 矽格表示,1 月进入半导体产业传统淡季,部分客户因库存调整而减少出货,但因海外子公司增加营收贡献,使得整体营收较
台积电28奈米频频告捷,继取得高通(Qualcomm)、辉达(nVidia)、联发科等主力客户后,台积电昨(19)日表示,今年预计在中国大陆再取得5个以上28奈米客户产品,替目前在28奈米市场已拥有九成市占的领先优势,再添第
半导体设备与再生晶圆供应商辛耘(3583)今举行上市前业绩发表会,总经理许明棋表示,随着电子终端应用产品体积愈轻薄短小、产品生命周期缩短,半导体大厂追求先进制程的脚步不停,持续扩充生产线,对于辛耘的自制设备
21ic讯 TDK团体推出的爱普科斯(EPCOS)MKPB3267*P*系列的薄膜电容用具有极小的体积,比方电容值为1µF和额定电压为450VDC的型号,电容密度极高,其引线间距只要10妹妹,体积仅为8.0x17.5x13.0妹妹³。与此前
主要可分为四种:在使用电阻器和电容器时,经常要了解它们的主要参数。一般情况下,对电阻器应考虑其标称阻值、允许偏差和标称功率;对电容器则需了解其标称容量、允许偏差和耐压。电阻器和电容器的标称值和允许偏差一
电容降压的工作原理并不复杂。他的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如,在50Hz的工频条件下,一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端,
电感的阻抗与频率成正比,电容的阻抗与频率成反比.所以,电感可以阻扼高频通过,电容可以阻扼低频通过.二者适当组合,就可过滤各种频率信号.如在整流电路中,将电容并在负载上或将电感串联在负载上,可滤去交流纹波.。<>电
近日,英特尔以色列子公司2012年出口额翻番至46亿美元,该公司正寻求将英特尔下一代芯片的生产放在以色列。英特尔以色列子公司2011年的出口额为22亿美元,而2012年同比增长率达到109%.这主要是由于以色列南部水牛城(
日前,中国科大郭国平教授研究组成功在“一个电子”上实现10皮秒级量子逻辑门运算,将原世界纪录提高近百倍,为实现基于半导体的“量子计算机”迈出重要一步。目前,相关研究成果已发表在《自然—通讯》上。据悉,中
中国大陆半导体业正快速追赶全球产业进度,根据研调机构ICInsights统计指出,中国大陆半导体市场预期在2017年前都会展现强劲的成长动能,年复合成长率约达13%,优于全年半导体产业平均的8%,2014年中国大陆半导体市场
6.1集成电路运算放大器中的电流源1.基本电流源分压式射极偏置电路为基本电流源电路。当三级管工作在放大区,由于射极电流仅由两分压电阻决定,因此当负载发生变化(也即集电极电阻发生变化),输出电流(即集电极电流)保