TD-LTE芯片须适应互操作需求

随着LTE在全球部署的加快，业内普遍认为，2012年是LTE发展的关键一年。由于LTE是纯数据网络，只提供高速数据业务，因而需要与具有高质量语音业务的2G、3G技术融合发展，多模LTE解决方案成为必备技术。美满电子(Marvell)移动产品市场总监张路博士在接受《中国电子报》记者采访时指出，因为多模LTE提供最高程度的集成技术，从而为优化和再利用提供了机会和可能。

需协调不同频谱资源

如何协调不同的频谱资源，对TD-LTE乃至LTE是否得以广泛采纳和部署至关重要。

张路进一步提到，多模LTE解决方案面临多重挑战，主要挑战是要支持日渐增多的频段，以满足部署和漫游需求。在TD-LTE方面，目前，中国移动需要为TD-LTE应用在38频段、39频段和40频段提供支持;在日本，Softbank在41频段上提供TD-LTE服务;而在美国，ClearWire也计划在41频段上部署TD-LTE技术。对于LTEFDD，使用的光谱频段更具多样性。在美国，VerizonWireless利用700兆赫的13频段，而AT&T则利用700兆赫的不同的次频段。根据GTI的数据，为了支持在不同的LTE应用(网络)上的漫游，一台终端设备需要支持近17个不同的频段，显而易见，这对成本和性能有很大的影响。如何协调不同地域和国家之间的频谱资源，将对TD-LTE乃至LTE得以广泛采纳和部署起着至关重要的作用。

“因而在设计上，需要能够适应不断提升的LTE互操作需求;在技术上，需要提供稳健的切换能力及低功耗性能。”张路表示。

前不久Marvell发布了业界最先进的多模TD-LTE调制解调芯片PXA1802，能够支持无缝的移动通信，实现在TD-LTE和TD-SCDMA、TD-LTE和EDGE及TD-LTE和LTEFDD之间平滑的切换。

系统级解决方案是开发重点

OFDM信号包含了多个窄频讯号，降低了发射效率，因此需要针对此开发更好的解决方案。

而由于多模LTE智能手机一般需要配备3G芯片和LTE基带芯片，这样的架构对功耗优化带来很大的挑战。张路指出，因为3G和4G无线接收发射器各自独立运行，这样在测量、处理、协调等方面会造成许多重复。

而Marvell在这方面已有所准备。张路提到，由于Marvell的多模LTE基带芯片将GSM/EDGE、TD-SCDMAHSPA+、TD-LTE及LTEFDD基带集成到单芯片上，因此可以利用多射频方面的知识，在协议栈中最大化地实现重复利用，从而提升切换性能，同时降低功耗。此外，Marvell也在积极为包括CSFB、VoLTE在内的语音解决方案研究开发新的技术。

工艺也是影响TD-LTE芯片功耗的关键，业界认为TD-LTE芯片较为适用28nm工艺，而目前这一工艺尚未成熟。张路对此表示，虽然包括28nm甚至是14nm在内的、更高的半导体制程节点使芯片设计面积和相关功耗能得以降低，但是最根本的问题是怎样开发出一个系统级的解决方案，以提高OFDM无线电技术的功率。OFDM信号的特性是它包含了多个窄频讯号，其信号轮廓和峰均比值很高，导致了发射效率的降低，因此需要针对OFDM信号开发更好的解决方案。

明年将推SoC系统方案

TD-LTE可能首先在中国之外的地区实现商业化部署，但中国仍然是最大的TD-LTE移动市场。

目前TD-LTE在全球的部署正在展开，但市场表现不一。张路提到，由于各国频谱管制政策和法规不同，TD-LTE可能首先在中国之外的地区实现商业化部署。然而，中国仍然是最大的TD-LTE移动市场，中国移动为部署TD-LTE也出台了一系列的策略，推动了TD-LTE走强。Marvell将继续和中国移动及全球主要的移动运营商展开合作，进而开发和提供单模和多模LTE解决方案。