X25165在8051单片机系统中的应用

[导读] 美国XICor公司生产的Z25165芯片是集看门狗、电压监控和串行EEPROM三项功能于一体的集成电路产品。该芯片的应用将有利于简化单片机系统的结构，降低系统的成本，减少对电路板的空间需求，增加系统的可

美国XICor公司生产的Z25165芯片是集看门狗、电压监控和串行EEPROM三项功能于一体的集成电路产品。该芯片的应用将有利于简化单片机系统的结构，降低系统的成本，减少对电路板的空间需求，增加系统的可靠性。

1 芯片简介

X25165的引脚排列如图1所示，各引脚功能说明如表1所列。

X25165使用简单的三线总线串行外设接口（SPI），对芯片进行操作的所有操作码、字节地址及写入的数据均从SI引脚输入，写入数据在串行时钟（SCK）的上升沿被锁存，从芯片读取的数据从SO引脚串行移出，并在串行时钟的下降沿输出数据。

芯片的看门狗定时器和VCC电压监视器都对微处理器提供独立的保护，当系统发生故障时，只要看门狗定时器达到其可编程的超时极限，RESET引脚立即自动产生一个持续200ms的高电平复位信号。当电源电压Vcc降到4.5V以下时，RESET引脚立即自动产生主电平复位信号，并一直保护到电源电压恢复正常。在系统电源上电或掉电时，RESET引脚也立即自动产生一个高电平复位信号。这样，就能有效地防止系统死机、数据误写及误操作等故障现象的发生。

X25165芯片内部有2k×8位的串行EEPROM，每个字节可以擦写10万次以上，内部数据可以保存100年以上。应用时，可以通过编程对指定的块进行锁定，以防止由于误操作等原因破坏保存的数据。

2 工作原理

2.1 指令

X25165共有七条指令（见表2），对芯片的所有操作都需要通过对指令寄存器写命令来完成，所有的指令、地址、数据均以高位在前的方式（MSB）串行传送。

2.2 状态寄存器

X25165内有一个八位状态寄存器，在任何时候都可以通过RDSR指令来读取状态寄存器的内容，也可以通过WREN，SFLB，WRSR等指令来设置状态寄存器中的某些位。状态寄存器的格式如下：

FLB：只读位，指示一个易失位的状态，可用SFLB和RFLB指令进行置位和清零，上电时该位自动清零；

WPEN：为非易失位，可用WRSR指令进行编程，该位和WP引脚配合使用能以编程方式实现对硬件的写保护（见表5）。当WP引脚为低电平且WPEN位被置位时，所有状态寄存器的写操作被禁止。

3 芯片应用

3.1 硬件接口电路

在一个8051单片机系统中可按照图2的连接方式使用该芯片。

3.2 软件接口设计

根据图2的连接方式，笔者编写了七个实用的应用接口程序，供大家参考。

a.串行输出了程序

将累加器A中的数据按照高位在前的顺序（MSB）串行输出至X25165芯片中。

WD-OUTB：MOV R7，#08H；有8位数据要传输

WD-OUTB1：CLR P1.2；使SCK为低电平

RLC A ；将输出位移入C

MOV P1.1，C；进位位移入SI

SEIB P1.2；使SCK位为高电平

DJNZ R7，WD-OUTB1；判断循环是否结束

CLR P1.1；清SI

RET

b.串行输入子程序

将1字节的数据按照高位在前的顺序（MSB）从X25165中串行读入累加器A中。

WD-INB：MOV R7，#08H；有8位数据要接收

WD-INB1：SETB P1.2；产生SCK脉冲

CLR P1.2 ；

MOV C， P1.0 ；S0移入进位位C

RLC A ；累加器A带进位位去移

DJNZ R7， WD-INB1；判断循环是否结束

RET

c.读状态寄存器子程序

用于从X25165中读状态寄存器内容，读出的内容存放在A中。

WD-RD-SR：CLR P1.2 ；使SCK为低电平

CLR P1.3 ；芯片选择CS有效

MOV A，#05H ；RDSR指令送累加器A

LCALL WD-OUTB ；输出RDSR指令

LCALL WD-INB ；读取状态寄存器内容

CLR P1.2 ；使SCK为低电平

SETB P1.3 ；芯片选择CS无效

RET

d.写状态寄存子程序

该子程序可以设置块保护地址范围和可编程看门狗定时器超时周期。子程序中需要先使片选信号有效，然后用WREN指令设置写使能锁存器，8位指令输出后必须将片选信号拉高，这样才能使命令生效。同样，数据输出完成后也必须将片选信号拉高。

WD-WR-SR：CLR P1.2 ；使SCK为低电平

CLR P1.3 ；芯片选择CS有效

MOV A， #06H ；WREN指令送累加器A

LCALL WD-OUTB ；输出WREN指令

SETB P1.3 ；使CS为高电平

CLR P1.3 ；芯片选择CS有效

MOV A，#01H ；WRSR指令送累加器A

LCALL WD-OUTB ；输出WRSR指令，置状态寄存器

MOV A，#10H；无块保护，超时周期；800ms

LCALL WD-OUTB ；输出状态寄存器内容

CLR P1.2 ；使SCK为低电平

SETB P1.3 ；使CS为高电平

RET ；

e.读存储单元内容子程序

从X25165的串行EEPROM中读指定单元内容，需要先发送READ指令和16位地址，指定地址单元的数据在SCK脉冲的作用下就会从S0引脚依次移出。
WD-RD-DATA：CLR P1.2 ；使SCK为低电平
CLR P1.3 ；芯片选择CS有效
MOC A，#03H ；READ指令送累加器A
LCALL WD-OUTB；输出READ指令
MOV A，DPH；高位地址送累加器A
LCALL WD-OUTB ；输出高位地址
MOV A，DPL ；低位地址送累加器A
LCALL WD-OUTB ；输出低位地址
LCALL WD-INB ；读取（DPTR）单元的数据
MOV R4，A ；数据送R4
LCALL WD-INB ；读取（DPTP+1）单元的数据
MOV R5，A ；数据送R5
CLR P1.2 ；使SCK为低电平
SETB P1.3 ；芯片选择CS无效
RET

f.写存储单元内容子程序

该子程序向芯片内EEPROM的指定起始地址写入数据，与写状态寄存器子程序一样，程序中需要先输出WREN指令设置写使能锁存器。然后，按高位在前的顺序输出存放于DPTR中的16位地址和存放于R5、R4中的16位数据。最后，要循环检测状态寄存器的WIP位，直到芯征内容的写操作完成，以确保数据被安全可靠地写入芯片。
WD-WR-DATA：CLR P1.2 ；使SCK为低电平
CLR P1.3 ；芯片选择CS有效
MOV A，#06H ；WREN指令送累加器A
LCALL WD-LUTB ；输出WREN指令
SETB P1.3 ；使CS为高电平
CLR P1.3 ；芯片选择CS有效
MOV A，#02H ；WRITE指令送累加器A
LCALL WD-OUTB ；输出WRITE指令
MOV A，DPH ；输出高8位地址
LCALL WD-OUTB ；
MOV A，DPL ；输出低8位地址
LCALL WD-OUTB ；
MOV A， R4 ；输出低8位数据
LCALL WD-OUTB ；
MOV A，R5 ；输出高8位数据
LCALL WD-OUTB；
CLR P1.2 ；使SCK为低电平
SETB P1.3 ；使CS为高电平
WD-WIP-POLL：LCALL WD-RD-SR ；读状态寄存器
JB ACC.0， WD-WIP-POLL
；检测WIP位
RET