DS18b20温度检测与显示库程序

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DS18b20.H

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DQ 接 p2.2
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#ifndef __DS18b20_H__
#define __DS18b20_H__

#include"msp430f2232.h"

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**引脚定义**
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#define DQ_1 P2OUT |= BIT2
#define DQ_0 P2OUT &= ~BIT2
#define DQ_inP2DIR &= ~BIT2
#define DQ_outP2DIR |= BIT2
#define DQ_val(P2IN & BIT2)

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****命令字符定义*****
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#define Read_ROM0x33//读ROM
#define Match_ROM 0x55//匹配ROM
#define Skip_ROM 0xcc//跳过ROM
#define Search_ROM 0xf0//搜索ROM
#define Alarm_Search 0xec//告警搜索

#define Convert_Temperature 0x44 //温度转换
#define Read_Scratchpad 0xbe//读暂存存储器9字节内容
#define Write_Scratchpad 0x4e //写暂存存储器，写的是TH and TL ，接着发送两位数据就可以

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**定义变量**
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//extern unsigned int Check_val;//初始化检测变量
//extern unsigned int Temp;//存放温度
//extern unsigned int Temp_l;//存放温度低四位
//extern unsigned int Temp_h;//存放温度高四位
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****函数定义****
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extern void DS18b20_Port_Init(void);
extern unsigned intDS18b20_Init(void);
extern void DS18b20_write_byte(unsigned int dat);
extern unsigned int DS18b20_read_byte(void);
extern unsigned int get_one_temperature(void);

# endif

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DS18B20.C

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****DQ 接 p2.4***
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#include"DS18b20.h"

void DS18b20_Port_Init(void)
{
P2DIR = BIT2;
}
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DS18b20 操作时序：
1.DS18b20 初始化
2.对64位ROM进行操作
读ROM
搜索ROM
跳过ROM
告警搜索
3.对寄存器进行操作
包括读取温度……
4.精度默认的为0.0625 ，无法重新设定，没找到相应的指令
相对应的转换时间为750ms
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DS18b20 初始化方法：
1 主机发送 480 - 960 us 的低电平，释放总线
2 等待 15 - 60 us
3 检测DQ上是否有低电平出现
有：复位成功 ，通常时间为 60-240 us
无：复位失败 ， 继续等待
4 DQ上出现低电平后，低电平持续15us，然后DS18b20开始对单片机发送的数据进行采样
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unsigned intDS18b20_Init(void)
{
unsigned Check_val;
DQ_out;
DQ_0;
__delay_cycles(600);
DQ_1;
__delay_cycles(60);
DQ_in;
_NOP();

if(DQ_val==1)
{
Check_val = 0;//初始化失败
}
if(DQ_val==0)
{
Check_val = 1;//初始化成功
}
__delay_cycles(10);
DQ_out;
DQ_1;
__delay_cycles(100);
return Check_val;
}

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DS18b20 写数据方法：
1 DS18b20 是“一位一位”的写‘0’和‘1’
2 每写一次‘1’或‘0’为一个周期，每个周期约为 45 - 60 us
3 DQ拉低 1 us ，表示写周期开始，释放总线，让DQ随写入的值变化
4 若写1： DQ拉高至少60us，保证在采样周期内采到的值均为高
5 若写0： DQ拉低至少60us，保证在采样周期内采到的值均为低
6 释放总线
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* 单片机发送数据时，是从写的数据的最高位开始发送*

void DS18b20_write_byte(unsigned int dat)
{
unsigned int i;
for(i = 0; i < 8;i++)
{
DQ_0;
__delay_cycles(2);
if(dat & 0X01)
DQ_1;
else
DQ_0;
__delay_cycles(60);
dat >>= 1;;
DQ_1;
__delay_cycles(10);
}
}

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DS18b20 读数据方法：
1 DS18b20 是“一位一位”的读‘0’和‘1’
2 每读一次‘1’或‘0’为一个周期，每个周期约为 45 - 60 us
3 DQ拉低 1 us ，表示读周期开始，释放总线，让DQ随DS18b20传送的值变化
4 若传1：则检测到高电平，持续时间为60us左右，所以检测一次后要延时60us，再检测下一位传送的数据
5 若传0：则检测到低电平，持续时间为60us左右
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*DS18b20 传送数据也是从最高位开始传*
*所以单片机在接受数据时，存储变量一共移动8次，将所有数据都接收并回到最高位*

unsigned int DS18b20_read_byte(void)
{
unsigned i;
unsigned int byte = 0;
for(i = 0;i < 8;i++)
{
byte >>= 1;
DQ_0;
__delay_cycles(2);
DQ_1;
__delay_cycles(2);
DQ_in;
_NOP();
if(DQ_val)
byte |= 0x80;
__delay_cycles(60);
DQ_out;
DQ_1;
__delay_cycles(10);
}
returnbyte;
}

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当用一个DS18b20进行温度测量时步骤
1.初始化
2.跳过ROM
3.控制寄存器：温度转换，读取ROM，读取温度低8位，温度高8位
注意的是，一定要初始化两次
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unsigned int get_one_temperature(void)//只读取了整数，没读取小数的部分
{
unsigned int Temp_l,Temp_h,Temp;
DS18b20_Init();
DS18b20_write_byte(Skip_ROM);
DS18b20_write_byte(Convert_Temperature);
__delay_cycles(500000);

DS18b20_Init();
DS18b20_write_byte(Skip_ROM);
DS18b20_write_byte(Read_Scratchpad);
Temp_l=DS18b20_read_byte();
Temp_h=DS18b20_read_byte();
Temp_l>>=4;
Temp_h<<=4;
Temp=Temp_h+Temp_l;
return Temp;
}