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[导读]在进入20nm节点之后,内存工业也面临着CPU工艺一样的制造难题,微缩越来越困难,制造工艺复杂,导致内存成本居高不下。如今7nm以下的处理器用上了EUV光刻机,内存很快也要跟进了,SK海力士计划在韩国

在进入20nm节点之后,内存工业也面临着CPU工艺一样的制造难题,微缩越来越困难,制造工艺复杂,导致内存成本居高不下。如今7nm以下的处理器用上了EUV光刻机,内存很快也要跟进了,SK海力士计划在韩国M16工厂引入EUV工艺。

与目前大量在用的DUV光刻相比,EUV光刻机可以减少多重曝光工艺,提供工艺精度,从而可以减少生产时间、降低成本,并提高性能。

内存用上EUV工艺之后,内存颗粒的制造成本理论上是会下降的,这也为内存降价奠定基础,不过EUV初期来说就很难了,因为EUV光刻机售价将近10亿元人民币,新建EUV产线的成本是非常高的,需要时间消化。

据韩国媒体报道,SK海力士已经成立了专门的研究小组攻克EUV工艺,从去年就开始投资EUV中可能用到的TF材料,相关研究由副总裁郑泰佑负责,他是蚀刻技术的专家,曾参与SK海力士首个10nm DRAM“Arius”的开发项目以及下一代NAND闪存的研发。

SK海力士也在推进建设EUV DRAM内存生产线的建设,预计在韩国利川市的M16工厂中开始引入。

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