当前位置:首页 > 芯闻号 > 技术解析
[导读]Flash是大家常使用的存储之一,对于Flash,大家或多或少有所了解。上篇文章中,小编对Flash闪存的类型有所介绍。为继续增进大家对Flash的认识,本文将对Flash盘、Flash盘结构以及Flash读写操作予以介绍。

Flash是大家常使用的存储之一,对于Flash,大家或多或少有所了解。上篇文章中,小编对Flash闪存的类型有所介绍。为继续增进大家对Flash的认识,本文将对Flash盘、Flash盘结构以及Flash读写操作予以介绍。如果你对本文内容具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。

一、Flash 盘的FAT 结构

Flash 硬盘与普通的磁头、柱面式介质不一样。在开发U 盘的过程中,使用Flash 作为存储介质。它有其特定的结构特点。以16M 的三星K9F2808U0A-YCB0 Flash 为例,它有1024 个Block,每个Block 有32个Page,每个Page 有512+16=528 个字节。

二、Flash 的结构

Flash 的读写有其自身特点:1)必须以Page 为单位进行读写;2)写之前必须先擦除原有内容;3)擦除操作必须对Block 进行,即一次至少擦除一个Block 的内容。针对这种情况,将Flash 的一个Page 定为1 个扇区,将其2 个Block,64 个扇区定为一个簇,这样,簇的容量刚好为512*64=32K,满足FAT16 对簇大小的要求。FAT 分配空间的时候,是按簇来分配的,但是其给出的地址却是LBA(Logical Block Address),即它只给出一个扇区号,比如对此Flash 而言,若给出LBA 为0x40,实代表簇1的扇区1。因此需要将Logical Block Address 转换为物理地址,这样,才可以对数据进行存取操作。根据我们定义的结构,转换公式为:

Flash 的Block = Logical Block Address/0x20

Flash 的Page = Logical Block Address %0x20

实际上,如果定义每个簇为32 个扇区是最好的,因为这样物理结构和逻辑结构刚好一致。但是这也无防,因为不管Logical Block Address 给出什么值,只要按上述公式,总可以得到物理上正确的Block 和Page,再使用Flash 的读写命令读取对应的Block 和Page 就可以了,读的问题复杂一些,在后面介绍。因此簇和扇区的概念只是在BPB 中给出存储介质信息的时候告之系统就可以了,我们只要做好LBA 与物理地址间的转换就可以了。

由于做为U 盘的Flash 不要求启动,因此可以没有MBR 区,只包含DBR、FAT、DIR

和DATA 四个区。因此,Flash 的前两个Block 的内容如下:

LBA Block/Page 长度 内容说明

0 0,0 512 字节 MBR=BPB+Excutable Code+55AA(查看内容)

1~2 0,1~0,2 1024 字FAT 区(第一份FAT)节

3~4 0,3~0,4 1024字节 FAT 区备份(第二份FAT)

5~39H 目录区(在BPB 中调整目录项数,使其刚好占尽本簇)

40H~ 数据区(因目录区占尽一个簇,故数据区始于新簇首扇)

当Host 发出READ 命令后,Flash 读写操作即告开始,Host 首先读取MBR,得到有关存储介质的有关信息,诸如扇区长度、每簇扇区数以及总扇区数等内容,以便知道此盘有多大。如果读取正确,会接着读取文件分配表,借以在PC 机上的可移动盘符中显示文件目录,并可以复制、删除或是创建文件。系统自动将这些命令都转换成Read 或Write 两种命令,通过USB 的READ 或WRITE 命令块描述符来从Flash 中相应扇区读取数据,或是将特定长度的数据写入Flash 相应簇中。

三、Flash 的读写

针对Flash 读写的特点,特别是其可随机读,但无法随机写的问题,需要通过设置缓冲区来解决。在与USB Host 进行数据交换的过程中,最小的单位是扇区:512 字节。由于Flash在写之前必须先擦除,而一擦又必须擦一个Block,因此在擦除某Block 之前必须保存同一个Block 中有关扇区的数据。因此,如果每收到一个扇区的内容就进行一次擦、保存、写的操作,系统任务将十分繁重,无法及时响应USB Host 端的请求。

因此,在系统中设置32K 的缓冲区(ARM7 系统具有2M SDRAM,因此内存足够,如果在8051 平台上,则需要另外想办法),每完成一次数据传输后,记下本次要写的开始扇区和总扇区数,将本次要写的数据所涉及的扇区以外的数据从Flash 中读出来,存放在缓冲区中对应位置,然后擦除一个Block,再将缓冲区中内容一次全部重新写入Flash。

以上便是此次小编带来的“Flash”相关内容,通过本文,希望大家对Flash盘的结构以及Flash的读写操作等内容具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

LED驱动电源的输入包括高压工频交流(即市电)、低压直流、高压直流、低压高频交流(如电子变压器的输出)等。

关键字: 驱动电源

在工业自动化蓬勃发展的当下,工业电机作为核心动力设备,其驱动电源的性能直接关系到整个系统的稳定性和可靠性。其中,反电动势抑制与过流保护是驱动电源设计中至关重要的两个环节,集成化方案的设计成为提升电机驱动性能的关键。

关键字: 工业电机 驱动电源

LED 驱动电源作为 LED 照明系统的 “心脏”,其稳定性直接决定了整个照明设备的使用寿命。然而,在实际应用中,LED 驱动电源易损坏的问题却十分常见,不仅增加了维护成本,还影响了用户体验。要解决这一问题,需从设计、生...

关键字: 驱动电源 照明系统 散热

根据LED驱动电源的公式,电感内电流波动大小和电感值成反比,输出纹波和输出电容值成反比。所以加大电感值和输出电容值可以减小纹波。

关键字: LED 设计 驱动电源

电动汽车(EV)作为新能源汽车的重要代表,正逐渐成为全球汽车产业的重要发展方向。电动汽车的核心技术之一是电机驱动控制系统,而绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电机驱动系统中的关键元件,其性能直接影响到电动汽车的动力性能和...

关键字: 电动汽车 新能源 驱动电源

在现代城市建设中,街道及停车场照明作为基础设施的重要组成部分,其质量和效率直接关系到城市的公共安全、居民生活质量和能源利用效率。随着科技的进步,高亮度白光发光二极管(LED)因其独特的优势逐渐取代传统光源,成为大功率区域...

关键字: 发光二极管 驱动电源 LED

LED通用照明设计工程师会遇到许多挑战,如功率密度、功率因数校正(PFC)、空间受限和可靠性等。

关键字: LED 驱动电源 功率因数校正

在LED照明技术日益普及的今天,LED驱动电源的电磁干扰(EMI)问题成为了一个不可忽视的挑战。电磁干扰不仅会影响LED灯具的正常工作,还可能对周围电子设备造成不利影响,甚至引发系统故障。因此,采取有效的硬件措施来解决L...

关键字: LED照明技术 电磁干扰 驱动电源

开关电源具有效率高的特性,而且开关电源的变压器体积比串联稳压型电源的要小得多,电源电路比较整洁,整机重量也有所下降,所以,现在的LED驱动电源

关键字: LED 驱动电源 开关电源

LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电压转换器,通常情况下:LED驱动电源的输入包括高压工频交流(即市电)、低压直流、高压直流、低压高频交流(如电子变压器的输出)等。

关键字: LED 隧道灯 驱动电源
关闭