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[导读]人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力,各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力,其实很多人并不会去了解电子产品的组成,比如650VCoolMOS™CFD7。

人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力,各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力,其实很多人并不会去了解电子产品的组成,比如650VCoolMOS™CFD7。

在工业应用SMPS的设计上,最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑,也因此触发了对650V击穿电压功率器件的需求。英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)旗下650VCoolMOS™CFD7产品系列即可满足上述需求。此器件适用于软切换应用的谐振拓扑,例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。

对于常规VDMOS 器件结构, Rdson 与BV 这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI 参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI 参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson 就大了。

新款650V器件扩展了声誉卓越的CoolMOSCFD7系列的电压范围,且为CoolMOSCFD2的后继产品。新款650V产品可搭配LLC和零电压切换相移全桥拓扑,较前几代产品能提供多项优势。本产品系列击穿电压提升50V,搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能,非常适合用于当代设计。极低的反向恢复电荷加上优异的热性能,也添加了更多优势。

Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和,这就是常规VDMOS的局限性。

开关损耗与RDS(on)过热相依性皆大幅降低,此产品系列具备非常优异的硬式整流耐用度。由于闸极电荷(Qg)改善,加上快速的开关性能,650VCoolMOSCFD7系列可提高整个负载范围的效率。在主要的SMPS应用中,相较于竞争产品,这些MOSFET提供绝佳的轻载效率,满载效率也有所提升。此外,同级最低RDS(on)也能让客户能以极具竞争力的价格,提升SMPS的功率密度。

对于COOLMOS,通过设置一个深入EPI 的的P 区,大大提高了BV,同时对Rdson 上不产生影响。对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N 型EPI 与body区界面的PN 结,对于一个PN 结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积。

本文只能带领大家对650VCoolMOS™CFD7有了初步的了解,对大家入门会有一定的帮助,同时需要不断总结,这样才能提高专业技能,也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。

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