值得了解的全新 650 V CoolMOS™ CFD7解析

人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如650VCoolMOS™CFD7。

在工业应用SMPS的设计上，最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑，也因此触发了对650V击穿电压功率器件的需求。英飞凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)旗下650VCoolMOS™CFD7产品系列即可满足上述需求。此器件适用于软切换应用的谐振拓扑，例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。

对于常规VDMOS 器件结构， Rdson 与BV 这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI 参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI 参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson 就大了。

新款650V器件扩展了声誉卓越的CoolMOSCFD7系列的电压范围，且为CoolMOSCFD2的后继产品。新款650V产品可搭配LLC和零电压切换相移全桥拓扑，较前几代产品能提供多项优势。本产品系列击穿电压提升50V，搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能，非常适合用于当代设计。极低的反向恢复电荷加上优异的热性能，也添加了更多优势。

Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和，这就是常规VDMOS的局限性。

开关损耗与RDS(on)过热相依性皆大幅降低，此产品系列具备非常优异的硬式整流耐用度。由于闸极电荷(Qg)改善，加上快速的开关性能，650VCoolMOSCFD7系列可提高整个负载范围的效率。在主要的SMPS应用中，相较于竞争产品，这些MOSFET提供绝佳的轻载效率，满载效率也有所提升。此外，同级最低RDS(on)也能让客户能以极具竞争力的价格，提升SMPS的功率密度。

对于COOLMOS，通过设置一个深入EPI 的的P 区，大大提高了BV，同时对Rdson 上不产生影响。对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N 型EPI 与body区界面的PN 结，对于一个PN 结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积。

本文只能带领大家对650VCoolMOS™CFD7有了初步的了解，对大家入门会有一定的帮助，同时需要不断总结，这样才能提高专业技能，也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。