美光发布1α DRAM 制程技术，引领DRAM技术革新

刚在前不久发布了业界领先的176层NAND产品，美光近日又宣布推出1α DRAM 制程技术，这两项领先的技术革新引领内存和存储产品走向了更高性能水准。不仅仅技术领先，美光在2020年的业绩也同样实现了超预期的增长。在近日的美光2021线上媒体沟通会上，美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 先生针对美光最近推出的新技术，美光2020年的整体业绩状况，以及对内存和存储市场发展现状进行了精彩的分享。

美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana

内存和存储领域仍将保持高速增长势头

从预测数据来看2021年的全球GDP增长将达到约5%，而半导体产业的增长预计可以达到12%，而在半导体产业中内存和储存技术这一领域增长可达到19%。快速增长势头背后推动力是内存和存储产品的旺盛市场需求，据Sumit先生分享，在2020年疫情初期虽然智能手机和汽车等需求有所下降，但后期这些需求实现了大幅度复苏，当前在半导体设备、汽车和PC等客户这边都有非常强劲的需求。

据Sumit分享，目前已经有多个成长动能因素交织在一起：汽车业需求逐步反弹，5G手机数量今年将实现翻倍增长，疫情带来的线上业务增多同样也发挥巨大推动作用。旺盛的内存和存储市场需求对于制造商的生产能力也提出了更高的要求，而这一部分的压力主要是集中在DRAM这边。据Sumit先生观察，在当前第一季度已经可以看到某些DRAM产品的价格有所上涨，并且随着全球经济复苏这种供给紧俏的现象还会持续下去。而在NAND端目前虽然市场供应充足，随着价格浮动市场会自行进行调节，在年底有望达到产能稳定。

为了给客户提供稳定可靠的货源供应，美光一方面会投资扩充自己的内部封测设备和产线，提高自己的产线生产能力。另一方面，美光将会更紧密地与客户进行需求沟通，提前进行产能规划。

同时实现DRAM和NAND技术创新领先

在此次媒体会上，美光发布了其最新的1α DRAM 制程技术，这代表着业界DRAM技术的最高水平。对于美光上一代1z DRAM 制程，1α 技术将内存密度提升了 40%。采用该制程技术的LPDDR5产品将在实现更高性能同时达到更好的功耗表现，为一共行业提供15%节能的DRAM平台，帮助5G手机实现更长续航表现。1α 工艺制程提供了从8Gb～16Gb的密度，DDR4和LPDDR4产品也可以使用该新工艺来生产。所以针对有着存量市场的客户而言，可以采用更低成本实现系统性能提升，例如数据中心等。

在NAND方面，前不久发布的176层NAND产品则标志着美光在NAND方面达到了技术领先的水平。据Sumit先生介绍，176层3D NAND技术结合了美光第二代的替换栅极、电荷捕获以及美光的 CMOS 阵列下 (CMOS-under-array, CuA) 架构，远超部分竞争对手。此外，美光的NAND也可以在一个单元上存储4个bit数据，实现QLC的NAND产品，上一季有近半数的SSD客户都是使用最该新的QLC NAND技术。

凭借在在NAND和DRAM上的技术革新，Sumit表示美光在超过40年的历史当中，首次在DRAM技术和NAND的技术上同时实现了领先。而且我们可以看到，美光针对后续的技术升级路线图也有着明确的规划和布局，这种领先势头仍将继续保持下去。

从美光科技最新公布的财报信息来看，在截至去年12月3日的2021财年第一财季，美光科技营收较上一财年同期增12.23%。而随着2021年全球经济复苏、5G手机普及以及中国双循环和新基建的开启，美光在2021年的有着强劲的增长机会。在2021年作为NAND和DRAM技术先驱者的美光又将给我们带来哪些突破性的技术革新，让我们拭目以待。