供过于求，近几个季度DRAM价格大幅下跌：美光确认EUV工艺

由于供过于求，近几个季度DRAM价格大幅下跌。为了降低成本，并为内存所需要的新应用程序做好准备，DRAM制造商正在积极转向更新的工艺技术。尽管他们承认需要平衡DRAM的供需，但实际上他们为扩大生产能力制定了积极的计划，因为他们需要为即将到来的制造技术提供更干净的空间。

在制造过程中，美光有一个积极的路线图，包括四个以上的10个nm级节点。该公司正在研究最终过渡到极端紫外光刻(EUVL)。尽管如此，该公司也在扩大其生产能力，为下一代应用程序生产下一代内存。该公司目前正在利用其最新工艺技术的成果，为客户端系统准备32 GB内存模块，为服务器准备64 GB调光器。

三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。

芯研所8月21日消息，CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预计2024年进入量产阶段。此外，这个1γ工艺要更先进，10nm级别的内存工艺中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前，三星及SK海力士都更早进入了EUV节点，从去年底就开始部署EUV光刻工艺了，而且比美光更激进，最快在1a工艺节点就会量产EUV内存芯片。

美光计划在 2021 年提出建设 A5 厂项目的申请，持续加码投资 DRAM，将用于 1Znm 制程之后的微缩技术发展。

据悉，目前美光在台湾地区布局，包括中科的前段晶圆制造 A1、A2 厂和后段封装厂，在桃园有 A、B 两厂，其中 1Znm 产线主要位于台中厂，而桃园厂则以 1ynm 量产技术为主。此外，美光正在新建 A3 工厂洁净室，预估将在 2021 年投入量产 1Znm 或 1α技术，进一步扩大先进技术的量产规模。

美光 2021 年 A5 厂建设计划主要彰显了美光对 DRAM 未来发展的乐观看法，也提高了美光在台湾地区 DRAM 生产基地的重要战略地位。不过，目前美光没有透露 A5 投产计划的细节，对于新厂地址也不予评论。

美光投资建厂不断，对短期 DRAM 市场影响有限，新产能将在 2021 年放量。

据中国闪存市场 ChinaFlashMarket 数据，2020 年第二季度 DRAM 整体销售额 170.6 亿美元，环比增长 15%，同比增长 16%，三星、SK 海力士、美光三大原厂占据 95%以上的市场份额，一直处于全球垄断地位，而美光市场份额占比 21.2%，排名第三，原厂 DRAM 扩产动作对市场影响深远。

美光在全球DRAM市场中排名第三，仅次于三星电子和SK Hynix。它的市场份额约为20%。

美光最近在NAND闪存领域首次推出了176层产品。与其他顶级DRAM制造商一样，该公司正在生产10纳米第三代(1z)产品。预计该芯片制造商将在2021年上半年推出第四代(1a)DRAM。

但是，美光与三星电子和SK海力士之间的主要区别在于，美光不会将EUV技术应用于1a DRAM。

美光公司在最近的一份声明中建议，鉴于高成本和技术局限性，它甚至可能不会将EUV技术应用于下一代DRAM“ 1-beta”产品。

美光公司副总裁Scott DerBauer表示，该公司将在1-delta产品的生产中引入EUV工艺。

具体而言，“1X纳米代”为19纳米-18纳米、“1Y纳米代”为17纳米-16纳米、“1Z纳米代”为16纳米-14纳米(在镁光进行了主题演讲后，答疑环节获得了此处的具体数值)。可以看出，代际的细微化发展仅有1纳米-2纳米左右，如果按照以上这个节奏发展下去，可以推测出“1α纳米代(1Anm)”为14纳米以下、“1β纳米代(1B纳米代)”为13纳米以下。

在镁光的演讲中，也展示了其未来的发展蓝图(Roadmap)，“1β纳米代(1B纳米代)”以后为“1γ纳米代”、“1δ纳米代”。就细微化尺寸而言，推测“1γ纳米代”为12纳米级、“1δ纳米代”为11纳米级。

各个代际的量产间隔未来还会保持12个月左右的时间。具体而言如下：“1α纳米代(1Anm)”的量产时间预计在2020年末-2021年初，“1β纳米代(1B纳米代)”的量产时间预计在2021年末-2022年初，“1γ纳米代”的量产时间预计在2022年末-2023年初，“1δ纳米代”的量产时间预计在2023年末-2024年初。

从 Sanjay Mehrotra 在财报分析师电话会议上透露的消息来看，美光科技是计划 2024 年，在部分工艺节点部署极紫外光刻机，随后扩大到更多工艺节点。

Sanjay Mehrotra 还表示，他们一直在关注极紫外光刻机的进展，他们其实也在评估引入极紫外光刻机。

事实上，美光科技此前就曾表示他们将引入极紫外光刻机。Sanjay Mehrotra 在会上就提到，他们曾多次表示，当他们认为极紫外光刻机平台及生态系统变得更成熟的时候，他们就将在适当的时间点引入极紫外光刻机。

值得注意的是，美光科技并不是首家引入极紫外光刻机的存储芯片制造商，SK 海力士就已在他们的 M16 工厂安装极紫外光刻机，在 2 月份就开始试生产 1anm 的 DRAM，预计在今年 7 月份开始大规模生产。